კერამიკული კონდენსატორები

ECJ-2VB2A102K

ECJ-2VB2A102K

ნაწილი საფონდო: 1196

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1A393K

ECJ-0EB1A393K

ნაწილი საფონდო: 1181

ტევადობა: 0.039µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YB1A475M

ECJ-3YB1A475M

ნაწილი საფონდო: 2688

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-A3A271KBP

ECK-A3A271KBP

ნაწილი საფონდო: 5428

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2YC2D331J

ECJ-2YC2D331J

ნაწილი საფონდო: 5145

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-ANA152ME

ECK-ANA152ME

ნაწილი საფონდო: 6302

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5U (E), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1E151K

ECJ-ZEB1E151K

ნაწილი საფონდო: 1111

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-A3J270JGE

ECC-A3J270JGE

ნაწილი საფონდო: 2481

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6000V (6kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-ZEB0J472K

ECJ-ZEB0J472K

ნაწილი საფონდო: 9460

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2VB2A471K

ECJ-2VB2A471K

ნაწილი საფონდო: 8342

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VC2A331J

ECJ-2VC2A331J

ნაწილი საფონდო: 7728

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1E331K

ECJ-ZEB1E331K

ნაწილი საფონდო: 8188

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3A101KBP

ECK-A3A101KBP

ნაწილი საფონდო: 6454

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-0EB1A333K

ECJ-0EB1A333K

ნაწილი საფონდო: 1338

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-A3J120JGE

ECC-A3J120JGE

ნაწილი საფონდო: 97724

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6000V (6kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3A221KBP

ECK-A3A221KBP

ნაწილი საფონდო: 3879

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2VB2A152K

ECJ-2VB2A152K

ნაწილი საფონდო: 3303

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB2A221K

ECJ-2VB2A221K

ნაწილი საფონდო: 8224

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-A3J150JGE

ECC-A3J150JGE

ნაწილი საფონდო: 2779

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6000V (6kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3A102KBP

ECK-A3A102KBP

ნაწილი საფონდო: 6422

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-AHD221KB

ECK-AHD221KB

ნაწილი საფონდო: 3926

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-ZEC1C560J

ECJ-ZEC1C560J

ნაწილი საფონდო: 7209

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2YC2D151J

ECJ-2YC2D151J

ნაწილი საფონდო: 4135

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1C223K

ECJ-0EB1C223K

ნაწილი საფონდო: 1675

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3VC1H562J

ECJ-3VC1H562J

ნაწილი საფონდო: 9312

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0ER508

ECD-G0ER508

ნაწილი საფონდო: 785

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-ZEB1C222K

ECJ-ZEB1C222K

ნაწილი საფონდო: 3188

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-AHD471KB

ECK-AHD471KB

ნაწილი საფონდო: 4340

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-ZEB1A332K

ECJ-ZEB1A332K

ნაწილი საფონდო: 8339

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1E681K

ECJ-ZEB1E681K

ნაწილი საფონდო: 1544

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-AHD681KB

ECK-AHD681KB

ნაწილი საფონდო: 6842

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3FF1E105Z

ECJ-3FF1E105Z

ნაწილი საფონდო: 1210

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB2A681K

ECJ-1VB2A681K

ნაწილი საფონდო: 3982

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-T3F330JG

ECC-T3F330JG

ნაწილი საფონდო: 1497

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2VC2A151J

ECJ-2VC2A151J

ნაწილი საფონდო: 7463

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-T3D101KB

ECK-T3D101KB

ნაწილი საფონდო: 2283

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი