კერამიკული კონდენსატორები

ECK-A3D681KBP

ECK-A3D681KBP

ნაწილი საფონდო: 6191

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2VB2D472K

ECJ-2VB2D472K

ნაწილი საფონდო: 6719

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YB2A223K

ECJ-3YB2A223K

ნაწილი საფონდო: 1820

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB2D102K

ECJ-2VB2D102K

ნაწილი საფონდო: 1555

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1A104K

ECJ-0EB1A104K

ნაწილი საფონდო: 4346

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YC2D471J

ECJ-3YC2D471J

ნაწილი საფონდო: 227

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3D391KBP

ECK-A3D391KBP

ნაწილი საფონდო: 774

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3YC2D681J

ECJ-3YC2D681J

ნაწილი საფონდო: 4120

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-GZER809

ECD-GZER809

ნაწილი საფონდო: 4912

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.075pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-3YB2A333K

ECJ-3YB2A333K

ნაწილი საფონდო: 9447

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3D152KBP

ECK-A3D152KBP

ნაწილი საფონდო: 9844

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECC-A3J330JGE

ECC-A3J330JGE

ნაწილი საფონდო: 5450

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6000V (6kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3D122KBP

ECK-A3D122KBP

ნაწილი საფონდო: 4306

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3A103KBP

ECK-A3A103KBP

ნაწილი საფონდო: 4370

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2VB2A103K

ECJ-2VB2A103K

ნაწილი საფონდო: 8642

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E100C

ECD-G0E100C

ნაწილი საფონდო: 1667

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECC-A3J390JGE

ECC-A3J390JGE

ნაწილი საფონდო: 1558

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6000V (6kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3A472KBP

ECK-A3A472KBP

ნაწილი საფონდო: 1119

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2VB2D471K

ECJ-2VB2D471K

ნაწილი საფონდო: 7402

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VC1H122J

ECJ-2VC1H122J

ნაწილი საფონდო: 8545

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3D471KBP

ECK-A3D471KBP

ნაწილი საფონდო: 4906

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-0EB1A683K

ECJ-0EB1A683K

ნაწილი საფონდო: 2905

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-A3D561KBP

ECK-A3D561KBP

ნაწილი საფონდო: 4005

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2VB2D331K

ECJ-2VB2D331K

ნაწილი საფონდო: 8645

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VC1H102J

ECJ-1VC1H102J

ნაწილი საფონდო: 3660

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VF1H683Z

ECJ-1VF1H683Z

ნაწილი საფონდო: 8793

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-ZEC1E070D

ECJ-ZEC1E070D

ნაწილი საფონდო: 1210

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB2D152K

ECJ-2VB2D152K

ნაწილი საფონდო: 2233

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB2D221K

ECJ-2VB2D221K

ნაწილი საფონდო: 4743

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VC1H471J

ECJ-1VC1H471J

ნაწილი საფონდო: 1868

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3D181KBP

ECK-A3D181KBP

ნაწილი საფონდო: 5833

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-0EB1A823K

ECJ-0EB1A823K

ნაწილი საფონდო: 4228

ტევადობა: 0.082µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-A3D271KBP

ECK-A3D271KBP

ნაწილი საფონდო: 2909

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2YB2D103K

ECJ-2YB2D103K

ნაწილი საფონდო: 4234

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3VC2A332J

ECJ-3VC2A332J

ნაწილი საფონდო: 6835

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E4R7C

ECD-G0E4R7C

ნაწილი საფონდო: 3790

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი