კერამიკული კონდენსატორები

ECK-TBC222ME

ECK-TBC222ME

ნაწილი საფონდო: 7990

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5U (E), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-4YB2A474K

ECJ-4YB2A474K

ნაწილი საფონდო: 244

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3F101KBP

ECK-A3F101KBP

ნაწილი საფონდო: 5044

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-5YB1E106M

ECJ-5YB1E106M

ნაწილი საფონდო: 3294

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-D3A470JGE

ECC-D3A470JGE

ნაწილი საფონდო: 2558

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-D3A822KBP

ECK-D3A822KBP

ნაწილი საფონდო: 1931

ტევადობა: 8200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2VC1H010C

ECJ-2VC1H010C

ნაწილი საფონდო: 853

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-4YB1E106M

ECJ-4YB1E106M

ნაწილი საფონდო: 2102

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-A3F681KBP

ECK-A3F681KBP

ნაწილი საფონდო: 4257

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3YB1A106M

ECJ-3YB1A106M

ნაწილი საფონდო: 8749

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-D3A220JGE

ECC-D3A220JGE

ნაწილი საფონდო: 4941

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2FB0J475M

ECJ-2FB0J475M

ნაწილი საფონდო: 3347

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-A3F471KBP

ECK-A3F471KBP

ნაწილი საფონდო: 3268

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3D222KBP

ECK-A3D222KBP

ნაწილი საფონდო: 6543

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-4YB1C475K

ECJ-4YB1C475K

ნაწილი საფონდო: 268

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1E105K

ECJ-1VB1E105K

ნაწილი საფონდო: 5685

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-4YB1A226M

ECJ-4YB1A226M

ნაწილი საფონდო: 91

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-NVS472ME

ECK-NVS472ME

ნაწილი საფონდო: 5473

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5U (E), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H222K

ECJ-2VB1H222K

ნაწილი საფონდო: 5041

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-TBC102MEM

ECK-TBC102MEM

ნაწილი საფონდო: 9598

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5U (E), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-D3A680JGE

ECC-D3A680JGE

ნაწილი საფონდო: 5043

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3F391KBP

ECK-A3F391KBP

ნაწილი საფონდო: 4236

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3D332KBP

ECK-A3D332KBP

ნაწილი საფონდო: 7284

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-TFC102ME

ECK-TFC102ME

ნაწილი საფონდო: 2908

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5U (E), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C,

სასურველი
ECJ-3FC1H103J

ECJ-3FC1H103J

ნაწილი საფონდო: 4421

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3VC1H682J

ECJ-3VC1H682J

ნაწილი საფონდო: 1941

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3FC1H822J

ECJ-3FC1H822J

ნაწილი საფონდო: 1391

ტევადობა: 8200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3F221KBP

ECK-A3F221KBP

ნაწილი საფონდო: 7297

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECC-D3A820JGE

ECC-D3A820JGE

ნაწილი საფონდო: 1115

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-1VC1H561J

ECJ-1VC1H561J

ნაწილი საფონდო: 7132

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VC1H152J

ECJ-2VC1H152J

ნაწილი საფონდო: 8018

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3D102KBP

ECK-A3D102KBP

ნაწილი საფონდო: 6043

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3VC1H472J

ECJ-3VC1H472J

ნაწილი საფონდო: 47

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2YB2D682K

ECJ-2YB2D682K

ნაწილი საფონდო: 3290

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB2D332K

ECJ-2VB2D332K

ნაწილი საფონდო: 7960

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-A3J151JGE

ECC-A3J151JGE

ნაწილი საფონდო: 3050

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6000V (6kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი