კერამიკული კონდენსატორები

ECJ-HVB0J226M

ECJ-HVB0J226M

ნაწილი საფონდო: 7781

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1A225K

ECJ-1VB1A225K

ნაწილი საფონდო: 3668

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YB1C106K

ECJ-3YB1C106K

ნაწილი საფონდო: 9586

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2FB0J226M

ECJ-2FB0J226M

ნაწილი საფონდო: 8791

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1C332K

ECJ-ZEB1C332K

ნაწილი საფონდო: 9325

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-T3F330JG2

ECC-T3F330JG2

ნაწილი საფონდო: 350

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-3YF1E106Z

ECJ-3YF1E106Z

ნაწილი საფონდო: 5492

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-GVB1C225M

ECJ-GVB1C225M

ნაწილი საფონდო: 656

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-GVF1C225Z

ECJ-GVF1C225Z

ნაწილი საფონდო: 6522

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-ZEBFJ104K

ECJ-ZEBFJ104K

ნაწილი საფონდო: 313

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3FB1E474K

ECJ-3FB1E474K

ნაწილი საფონდო: 1314

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-GVB0J475K

ECJ-GVB0J475K

ნაწილი საფონდო: 6816

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB0J475K

ECJ-1VB0J475K

ნაწილი საფონდო: 6826

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1H221K

ECJ-ZEB1H221K

ნაწილი საფონდო: 3675

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-THC101MB

ECK-THC101MB

ნაწილი საფონდო: 8651

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-THC101KB

ECK-THC101KB

ნაწილი საფონდო: 4935

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB0J475M

ECJ-0EB0J475M

ნაწილი საფონდო: 747

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-THC221KB

ECK-THC221KB

ნაწილი საფონდო: 4969

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1H331K

ECJ-ZEB1H331K

ნაწილი საფონდო: 2753

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E8R2B

ECD-G0E8R2B

ნაწილი საფონდო: 7701

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-ZEB1A472K

ECJ-ZEB1A472K

ნაწილი საფონდო: 4403

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-AVS681KB

ECK-AVS681KB

ნაწილი საფონდო: 478

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E5R6B

ECD-G0E5R6B

ნაწილი საფონდო: 1954

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-ZEB1A103K

ECJ-ZEB1A103K

ნაწილი საფონდო: 5692

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-THC221MB

ECK-THC221MB

ნაწილი საფონდო: 8176

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-THC471MB

ECK-THC471MB

ნაწილი საფონდო: 7395

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1H151K

ECJ-ZEB1H151K

ნაწილი საფონდო: 6350

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1H681K

ECJ-ZEB1H681K

ნაწილი საფონდო: 7958

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EF1E332Z

ECJ-0EF1E332Z

ნაწილი საფონდო: 1436

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1H102K

ECJ-ZEB1H102K

ნაწილი საფონდო: 2226

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1E222K

ECJ-ZEB1E222K

ნაწილი საფონდო: 2311

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1H471K

ECJ-ZEB1H471K

ნაწილი საფონდო: 6990

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-T3G270JG

ECC-T3G270JG

ნაწილი საფონდო: 1888

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 4000V (4kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-2VC1H070D

ECJ-2VC1H070D

ნაწილი საფონდო: 137838

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-T3G390JG

ECC-T3G390JG

ნაწილი საფონდო: 162867

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 4000V (4kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-TBC152ME

ECK-TBC152ME

ნაწილი საფონდო: 6725

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5U (E), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი