კერამიკული კონდენსატორები

ECK-TFC471KB

ECK-TFC471KB

ნაწილი საფონდო: 3606

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C,

სასურველი
ECJ-0EF1C153Z

ECJ-0EF1C153Z

ნაწილი საფონდო: 8279

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-D3D821KBP

ECK-D3D821KBP

ნაწილი საფონდო: 177

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-TFC221KB

ECK-TFC221KB

ნაწილი საფონდო: 144

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C,

სასურველი
ECK-T3D121KB

ECK-T3D121KB

ნაწილი საფონდო: 3522

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-1VC1H0R5C

ECJ-1VC1H0R5C

ნაწილი საფონდო: 7683

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-DGL681MB

ECK-DGL681MB

ნაწილი საფონდო: 430

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-D3D122KBP

ECK-D3D122KBP

ნაწილი საფონდო: 2984

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECU-S2A182JCB

ECU-S2A182JCB

ნაწილი საფონდო: 7235

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VC1H1R5C

ECJ-1VC1H1R5C

ნაწილი საფონდო: 7995

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VC1H010C

ECJ-1VC1H010C

ნაწილი საფონდო: 7112

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-D3D102KBP

ECK-D3D102KBP

ნაწილი საფონდო: 996

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-1VC1H020C

ECJ-1VC1H020C

ნაწილი საფონდო: 8058

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-TFC102KB

ECK-TFC102KB

ნაწილი საფონდო: 4200

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C,

სასურველი
ECK-TFC331KB

ECK-TFC331KB

ნაწილი საფონდო: 4009

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H682K

ECJ-2VB1H682K

ნაწილი საფონდო: 2600

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VC1H681J

ECJ-2VC1H681J

ნაწილი საფონდო: 4184

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-GVB1A225K

ECJ-GVB1A225K

ნაწილი საფონდო: 6988

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EF1H152Z

ECJ-0EF1H152Z

ნაწილი საფონდო: 6688

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECU-V1H0R5CCM

ECU-V1H0R5CCM

ნაწილი საფონდო: 185316

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2FB1A226M

ECJ-2FB1A226M

ნაწილი საფონდო: 8526

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2VC1H102J

ECJ-2VC1H102J

ნაწილი საფონდო: 7698

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YX1H105K

ECJ-3YX1H105K

ნაწილი საფონდო: 7355

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H822K

ECJ-2VB1H822K

ნაწილი საფონდო: 3885

ტევადობა: 8200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VC1H471J

ECJ-2VC1H471J

ნაწილი საფონდო: 6096

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H223K

ECJ-2VB1H223K

ნაწილი საფონდო: 6322

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VC1H391J

ECJ-2VC1H391J

ნაწილი საფონდო: 5152

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2F60J226M

ECJ-2F60J226M

ნაწილი საფონდო: 2270

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
ECJ-1VB1C474K

ECJ-1VB1C474K

ნაწილი საფონდო: 2233

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1V60J106M

ECJ-1V60J106M

ნაწილი საფონდო: 5137

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H183K

ECJ-2VB1H183K

ნაწილი საფონდო: 3467

ტევადობა: 0.018µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H122K

ECJ-2VB1H122K

ნაწილი საფონდო: 3459

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H472K

ECJ-2VB1H472K

ნაწილი საფონდო: 2112

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB1A106M

ECJ-1VB1A106M

ნაწილი საფონდო: 7494

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2VB1H123K

ECJ-2VB1H123K

ნაწილი საფონდო: 2753

ტევადობა: 0.012µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2VC1H331J

ECJ-2VC1H331J

ნაწილი საფონდო: 5643

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი