კერამიკული კონდენსატორები

ECD-GZER909

ECD-GZER909

ნაწილი საფონდო: 2191

ტევადობა: 0.9pF, ტოლერანტობა: ±0.075pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECK-A3A392KBP

ECK-A3A392KBP

ნაწილი საფონდო: 3844

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-ANA101MB

ECK-ANA101MB

ნაწილი საფონდო: 9522

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-A3A152KBP

ECK-A3A152KBP

ნაწილი საფონდო: 371

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECD-GZER308

ECD-GZER308

ნაწილი საფონდო: 1854

ტევადობა: 0.3pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECD-GZER508

ECD-GZER508

ნაწილი საფონდო: 8827

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-HVB1C106M

ECJ-HVB1C106M

ნაწილი საფონდო: 4427

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-A3F121KBP

ECK-A3F121KBP

ნაწილი საფონდო: 8174

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECD-GZER108

ECD-GZER108

ნაწილი საფონდო: 4217

ტევადობა: 0.1pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECC-A3A120JGE

ECC-A3A120JGE

ნაწილი საფონდო: 4450

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-MFF1A226Z

ECJ-MFF1A226Z

ნაწილი საფონდო: 5485

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-A3F151KBP

ECK-A3F151KBP

ნაწილი საფონდო: 2826

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECD-GZER609

ECD-GZER609

ნაწილი საფონდო: 7042

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.075pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-3YB1A226M

ECJ-3YB1A226M

ნაწილი საფონდო: 9537

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECC-A3A221JGE

ECC-A3A221JGE

ნაწილი საფონდო: 8842

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3F181KBP

ECK-A3F181KBP

ნაწილი საფონდო: 544

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-ZEB1A682K

ECJ-ZEB1A682K

ნაწილი საფონდო: 1976

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-4YB1C476M

ECJ-4YB1C476M

ნაწილი საფონდო: 287

ტევადობა: 47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECK-A3F331KBP

ECK-A3F331KBP

ნაწილი საფონდო: 2972

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-A3A332KBP

ECK-A3A332KBP

ნაწილი საფონდო: 9874

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-MFF1A106Z

ECJ-MFF1A106Z

ნაწილი საფონდო: 6216

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-MFF1C106Z

ECJ-MFF1C106Z

ნაწილი საფონდო: 4111

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECD-GZER208

ECD-GZER208

ნაწილი საფონდო: 7232

ტევადობა: 0.2pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-0EB0J105K

ECJ-0EB0J105K

ნაწილი საფონდო: 707

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2FB1A106K

ECJ-2FB1A106K

ნაწილი საფონდო: 1044

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VF1E105Z

ECJ-1VF1E105Z

ნაწილი საფონდო: 9490

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-GVB0J106M

ECJ-GVB0J106M

ნაწილი საფონდო: 5167

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB0J474K

ECJ-0EB0J474K

ნაწილი საფონდო: 6417

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-ZEB1E152K

ECJ-ZEB1E152K

ნაწილი საფონდო: 4014

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-2FB0J106K

ECJ-2FB0J106K

ნაწილი საფონდო: 7231

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-GVF1C475Z

ECJ-GVF1C475Z

ნაწილი საფონდო: 355

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2FB0J475K

ECJ-2FB0J475K

ნაწილი საფონდო: 7512

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-1VB1H104K

ECJ-1VB1H104K

ნაწილი საფონდო: 8630

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-1VB0J106M

ECJ-1VB0J106M

ნაწილი საფონდო: 5084

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-2FF1H105Z

ECJ-2FF1H105Z

ნაწილი საფონდო: 6530

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YB1E106K

ECJ-3YB1E106K

ნაწილი საფონდო: 8249

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი