კერამიკული კონდენსატორები

ECJ-0EC1H040C

ECJ-0EC1H040C

ნაწილი საფონდო: 8112

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H070D

ECJ-0EC1H070D

ნაწილი საფონდო: 8273

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E2R4B

ECD-G0E2R4B

ნაწილი საფონდო: 9419

ტევადობა: 2.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-5YB0J476M

ECJ-5YB0J476M

ნაწილი საფონდო: 2703

ტევადობა: 47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H060D

ECJ-0EC1H060D

ნაწილი საფონდო: 5573

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H090D

ECJ-0EC1H090D

ნაწილი საფონდო: 9739

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-D3F821KBP

ECK-D3F821KBP

ნაწილი საფონდო: 4004

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-0EB1E561K

ECJ-0EB1E561K

ნაწილი საფონდო: 8370

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-3YB0J226M

ECJ-3YB0J226M

ნაწილი საფონდო: 380

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H010C

ECJ-0EC1H010C

ნაწილი საფონდო: 5294

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0K, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H220J

ECJ-0EC1H220J

ნაწილი საფონდო: 9037

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECD-G0E3R0B

ECD-G0E3R0B

ნაწილი საფონდო: 2968

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
ECJ-0EC1H270J

ECJ-0EC1H270J

ნაწილი საფონდო: 9248

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-5YB2A105M

ECJ-5YB2A105M

ნაწილი საფონდო: 7836

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H151J

ECJ-0EC1H151J

ნაწილი საფონდო: 8692

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB0J105M

ECJ-0EB0J105M

ნაწილი საფონდო: 987

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3VC1H392J

ECJ-3VC1H392J

ნაწილი საფონდო: 2027

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E271K

ECJ-0EB1E271K

ნაწილი საფონდო: 2720

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H1R5C

ECJ-0EC1H1R5C

ნაწილი საფონდო: 8313

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0K, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H101J

ECJ-0EC1H101J

ნაწილი საფონდო: 8580

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-4YB2A684M

ECJ-4YB2A684M

ნაწილი საფონდო: 9182

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-D3F222KBP

ECK-D3F222KBP

ნაწილი საფონდო: 9529

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-4YB1E475K

ECJ-4YB1E475K

ნაწილი საფონდო: 4790

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EB1E391K

ECJ-0EB1E391K

ნაწილი საფონდო: 5617

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-5YB1C226M

ECJ-5YB1C226M

ნაწილი საფონდო: 9961

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-3YB1E475M

ECJ-3YB1E475M

ნაწილი საფონდო: 6806

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H560J

ECJ-0EC1H560J

ნაწილი საფონდო: 159

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-D3F102KBP

ECK-D3F102KBP

ნაწილი საფონდო: 4749

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECK-NTS103MF

ECK-NTS103MF

ნაწილი საფონდო: 4543

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 440VAC, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C,

სასურველი
ECC-T3F560JG

ECC-T3F560JG

ნაწილი საფონდო: 2454

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL/GP, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-0EC1H050C

ECJ-0EC1H050C

ნაწილი საფონდო: 1659

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H080D

ECJ-0EC1H080D

ნაწილი საფონდო: 40

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H120J

ECJ-0EC1H120J

ნაწილი საფონდო: 2648

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECJ-0EC1H030C

ECJ-0EC1H030C

ნაწილი საფონდო: 2882

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
ECK-D3F152KBP

ECK-D3F152KBP

ნაწილი საფონდო: 3993

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5P (B), ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
ECJ-0EC1H680J

ECJ-0EC1H680J

ნაწილი საფონდო: 1959

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი