ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA, მიმდინარე - სატურაცია: 120mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
