ფიქსირებული ინდუქტორები

LQW15AN10NJ0ZD

LQW15AN10NJ0ZD

ნაწილი საფონდო: 139

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LQG18HN6N8J00D

LQG18HN6N8J00D

ნაწილი საფონდო: 137281

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
LQW15AN5N7D80D

LQW15AN5N7D80D

ნაწილი საფონდო: 159850

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,

სასურველი
LQW15AN3N8D8ZD

LQW15AN3N8D8ZD

ნაწილი საფონდო: 111322

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQW15AN7N0J8ZD

LQW15AN7N0J8ZD

ნაწილი საფონდო: 180384

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A,

სასურველი
LQW15AN1N6D8ZD

LQW15AN1N6D8ZD

ნაწილი საფონდო: 101820

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A,

სასურველი
LQW15AN3N7D8ZD

LQW15AN3N7D8ZD

ნაწილი საფონდო: 194546

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQW15AN1N3D80D

LQW15AN1N3D80D

ნაწილი საფონდო: 182454

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 3.15A,

სასურველი
LQW15AN7N5J8ZD

LQW15AN7N5J8ZD

ნაწილი საფონდო: 139159

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
LQW15AN68NJ80D

LQW15AN68NJ80D

ნაწილი საფონდო: 138178

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
LQM18NNR56K00D

LQM18NNR56K00D

ნაწილი საფონდო: 115312

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
LQW15AN36NJ80D

LQW15AN36NJ80D

ნაწილი საფონდო: 168398

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,

სასურველი
LQW15AN1N6D80D

LQW15AN1N6D80D

ნაწილი საფონდო: 181905

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A,

სასურველი
LQM18JNR16J00D

LQM18JNR16J00D

ნაწილი საფონდო: 13260

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 160nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
LQW15AN9N4J8ZD

LQW15AN9N4J8ZD

ნაწილი საფონდო: 148856

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.4nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQW15AN8N2G0ZD

LQW15AN8N2G0ZD

ნაწილი საფონდო: 63

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,

სასურველი
LQW15AN2N8D8ZD

LQW15AN2N8D8ZD

ნაწილი საფონდო: 143184

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW15AN30NJ80D

LQW15AN30NJ80D

ნაწილი საფონდო: 145057

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 30nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA,

სასურველი
LQW15AN51NJ8ZD

LQW15AN51NJ8ZD

ნაწილი საფონდო: 139875

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 51nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 415mA,

სასურველი
LQP02HQ0N7W02L

LQP02HQ0N7W02L

ნაწილი საფონდო: 129992

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
LQW15AN21NJ8ZD

LQW15AN21NJ8ZD

ნაწილი საფონდო: 187208

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 21nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 780mA,

სასურველი
LQW15AN47NJ80D

LQW15AN47NJ80D

ნაწილი საფონდო: 138185

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი
LQW15AN10NJ80D

LQW15AN10NJ80D

ნაწილი საფონდო: 103344

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQW15AN7N8J8ZD

LQW15AN7N8J8ZD

ნაწილი საფონდო: 147207

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
LQW15AN3N5C80D

LQW15AN3N5C80D

ნაწილი საფონდო: 111780

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQW15AN30NJ8ZD

LQW15AN30NJ8ZD

ნაწილი საფონდო: 169306

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 30nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA,

სასურველი
LQW15AN9N8J8ZD

LQW15AN9N8J8ZD

ნაწილი საფონდო: 149908

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQW15AN5N4C80D

LQW15AN5N4C80D

ნაწილი საფონდო: 197808

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,

სასურველი
LQG18HN33NJ00D

LQG18HN33NJ00D

ნაწილი საფონდო: 179886

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LQW15AN8N4J80D

LQW15AN8N4J80D

ნაწილი საფონდო: 112058

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.4nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW18AN22NJ80D

LQW18AN22NJ80D

ნაწილი საფონდო: 165208

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
LQW15AN4N8D80D

LQW15AN4N8D80D

ნაწილი საფონდო: 131567

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
LQW18AN12NJ80D

LQW18AN12NJ80D

ნაწილი საფონდო: 109477

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW15AN1N3C80D

LQW15AN1N3C80D

ნაწილი საფონდო: 184820

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 3.15A,

სასურველი
LQW15AN16NJ80D

LQW15AN16NJ80D

ნაწილი საფონდო: 129066

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LQG15HH1N5C02D

LQG15HH1N5C02D

ნაწილი საფონდო: 165483

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი