ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 4.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 72nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 62nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 24nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 62nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
