ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 515mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 9.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 17nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 7.4nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 9.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 34nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.4nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 19nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 920mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 21nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 780mA,