ფიქსირებული ინდუქტორები

LQW15AN43NJ80D

LQW15AN43NJ80D

ნაწილი საფონდო: 118874

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 515mA,

სასურველი
LQW15AN9N5J80D

LQW15AN9N5J80D

ნაწილი საფონდო: 147229

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 9.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQW18AN17NJ80D

LQW18AN17NJ80D

ნაწილი საფონდო: 157570

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 17nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQP02HQ0N9W02E

LQP02HQ0N9W02E

ნაწილი საფონდო: 179296

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
LQG18HN22NJ00D

LQG18HN22NJ00D

ნაწილი საფონდო: 120069

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LQW15AN9N7J80D

LQW15AN9N7J80D

ნაწილი საფონდო: 117779

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQM18NNR15K00D

LQM18NNR15K00D

ნაწილი საფონდო: 161583

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LQW15AN3N6D8ZD

LQW15AN3N6D8ZD

ნაწილი საფონდო: 158161

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQM18NNR39K00D

LQM18NNR39K00D

ნაწილი საფონდო: 187948

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
LQM21NNR39K10D

LQM21NNR39K10D

ნაწილი საფონდო: 121014

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
LQW15AN3N8D80D

LQW15AN3N8D80D

ნაწილი საფონდო: 177773

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQW15AN7N4J80D

LQW15AN7N4J80D

ნაწილი საფონდო: 115773

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 7.4nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
LQW15AN9N9J80D

LQW15AN9N9J80D

ნაწილი საფონდო: 139620

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQW15AN5N4D8ZD

LQW15AN5N4D8ZD

ნაწილი საფონდო: 153323

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,

სასურველი
LQW15AN2N6C80D

LQW15AN2N6C80D

ნაწილი საფონდო: 118074

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQW15AN4N4D80D

LQW15AN4N4D80D

ნაწილი საფონდო: 150007

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQW15AN9N2J80D

LQW15AN9N2J80D

ნაწილი საფონდო: 137874

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 9.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQG18HN1N5S00D

LQG18HN1N5S00D

ნაწილი საფონდო: 142732

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LQW15AN6N3J80D

LQW15AN6N3J80D

ნაწილი საფონდო: 129209

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQP02HQ1N5W02L

LQP02HQ1N5W02L

ნაწილი საფონდო: 195559

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
LQW15AN6N0C80D

LQW15AN6N0C80D

ნაწილი საფონდო: 105546

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQW15AN18NJ80D

LQW15AN18NJ80D

ნაწილი საფონდო: 141990

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A,

სასურველი
LQW18AN13NJ80D

LQW18AN13NJ80D

ნაწილი საფონდო: 155452

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQM21NNR56K10D

LQM21NNR56K10D

ნაწილი საფონდო: 108961

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LQW15AN4N3D8ZD

LQW15AN4N3D8ZD

ნაწილი საფონდო: 182743

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
LQW15AN5N2D8ZD

LQW15AN5N2D8ZD

ნაწილი საფონდო: 189882

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,

სასურველი
LQW18AN34NJ80D

LQW18AN34NJ80D

ნაწილი საფონდო: 118636

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 34nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A,

სასურველი
LQG18HN4N7S00D

LQG18HN4N7S00D

ნაწილი საფონდო: 132379

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
LQW15AN8N9J80D

LQW15AN8N9J80D

ნაწილი საფონდო: 101524

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A,

სასურველი
LQW15AN2N5C80D

LQW15AN2N5C80D

ნაწილი საფონდო: 122297

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,

სასურველი
LQP02HQ0N4W02L

LQP02HQ0N4W02L

ნაწილი საფონდო: 105130

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.4nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LQW15AN4N2D8ZD

LQW15AN4N2D8ZD

ნაწილი საფონდო: 144836

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
LQW15AN19NJ8ZD

LQW15AN19NJ8ZD

ნაწილი საფონდო: 184424

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 19nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 920mA,

სასურველი
LQW15AN4N2D80D

LQW15AN4N2D80D

ნაწილი საფონდო: 178424

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
LQW18ANR15J80D

LQW18ANR15J80D

ნაწილი საფონდო: 186182

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,

სასურველი
LQW15AN21NJ80D

LQW15AN21NJ80D

ნაწილი საფონდო: 177657

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 21nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 780mA,

სასურველი