ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 53nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 415mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 44nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 360nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.4nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.38A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 75nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,
