ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 25nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.9nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.9nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 75nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 910mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.1nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.53A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.28A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 7.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.53A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 17nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
