ფიქსირებული ინდუქტორები

LQW15AN3N5D8ZD

LQW15AN3N5D8ZD

ნაწილი საფონდო: 152173

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQW15AN9N0J80D

LQW15AN9N0J80D

ნაწილი საფონდო: 104195

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A,

სასურველი
LQW15AN9N3J8ZD

LQW15AN9N3J8ZD

ნაწილი საფონდო: 110300

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQM18NNR33K00D

LQM18NNR33K00D

ნაწილი საფონდო: 125887

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
LQM18NN82NM00D

LQM18NN82NM00D

ნაწილი საფონდო: 112727

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LQW15AN4N5C80D

LQW15AN4N5C80D

ნაწილი საფონდო: 166223

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A,

სასურველი
LQG18HN8N2J00D

LQG18HN8N2J00D

ნაწილი საფონდო: 133789

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LQW15AN4N3D80D

LQW15AN4N3D80D

ნაწილი საფონდო: 118367

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
LQW15AN8N4J8ZD

LQW15AN8N4J8ZD

ნაწილი საფონდო: 103898

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.4nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQP02HQ0N7W02E

LQP02HQ0N7W02E

ნაწილი საფონდო: 170227

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
LQW15AN2N9C80D

LQW15AN2N9C80D

ნაწილი საფონდო: 188884

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW15AN6N2C80D

LQW15AN6N2C80D

ნაწილი საფონდო: 145520

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQW15AN4N5D8ZD

LQW15AN4N5D8ZD

ნაწილი საფონდო: 123381

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A,

სასურველი
LQW15AN5N5D8ZD

LQW15AN5N5D8ZD

ნაწილი საფონდო: 191793

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,

სასურველი
LQW15AN2N3C80D

LQW15AN2N3C80D

ნაწილი საფონდო: 163194

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.53A,

სასურველი
LQW15AN3N8C80D

LQW15AN3N8C80D

ნაწილი საფონდო: 110187

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQM18NNR27K00D

LQM18NNR27K00D

ნაწილი საფონდო: 169542

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LQW15AN24NJ8ZD

LQW15AN24NJ8ZD

ნაწილი საფონდო: 101850

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 24nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA,

სასურველი
LQW15AN8N1J8ZD

LQW15AN8N1J8ZD

ნაწილი საფონდო: 103284

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW15AN3N3D8ZD

LQW15AN3N3D8ZD

ნაწილი საფონდო: 141641

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,

სასურველი
LQP02HQ1N0W02L

LQP02HQ1N0W02L

ნაწილი საფონდო: 135672

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
LQW15AN8N3J80D

LQW15AN8N3J80D

ნაწილი საფონდო: 113477

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW15AN5N0D80D

LQW15AN5N0D80D

ნაწილი საფონდო: 126672

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,

სასურველი
LQW15AN3N4D80D

LQW15AN3N4D80D

ნაწილი საფონდო: 153443

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,

სასურველი
LQW15AN5N3C80D

LQW15AN5N3C80D

ნაწილი საფონდო: 101535

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,

სასურველი
LQW15AN22NJ80D

LQW15AN22NJ80D

ნაწილი საფონდო: 109316

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 780mA,

სასურველი
LQW15AN9N7J8ZD

LQW15AN9N7J8ZD

ნაწილი საფონდო: 179016

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQP02HQ0N5W02L

LQP02HQ0N5W02L

ნაწილი საფონდო: 124200

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LQG18HN12NJ00D

LQG18HN12NJ00D

ნაწილი საფონდო: 129339

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
LQW18AN75NJ80D

LQW18AN75NJ80D

ნაწილი საფონდო: 151905

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 75nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA,

სასურველი
LQW15AN15NJ8ZD

LQW15AN15NJ8ZD

ნაწილი საფონდო: 154071

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A,

სასურველი
LQW15AN4N7B0ZD

LQW15AN4N7B0ZD

ნაწილი საფონდო: 102022

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
LQW18AN37NJ80D

LQW18AN37NJ80D

ნაწილი საფონდო: 198230

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 37nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 910mA,

სასურველი
LQG15HHR12J02D

LQG15HHR12J02D

ნაწილი საფონდო: 145

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LQW15AN6N9J8ZD

LQW15AN6N9J8ZD

ნაწილი საფონდო: 199677

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A,

სასურველი
LQW15AN9N0J8ZD

LQW15AN9N0J8ZD

ნაწილი საფონდო: 132860

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.42A,

სასურველი