ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.35A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.5nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 23nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 110nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 26nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 73nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 7.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 3.15A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.24A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 7.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.4nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 19nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 920mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 9.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.4nH, ტოლერანტობა: ±0.05nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.77A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
