Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები
APTGT225A170G
Microsemi Corporation

APTGT225A170G

ნაწილი საფონდო: 559

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 340A, სიმძლავრე - მაქს: 1250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

სასურველი
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation

APTGT450DA60G

ნაწილი საფონდო: 807

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 550A, სიმძლავრე - მაქს: 1750W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

სასურველი
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation

APTGT200DH60G

ნაწილი საფონდო: 969

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 290A, სიმძლავრე - მაქს: 625W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

სასურველი
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170T1G

ნაწილი საფონდო: 1665

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGLQ200H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H65G

ნაწილი საფონდო: 235

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 270A, სიმძლავრე - მაქს: 680W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A,

სასურველი
APTGT100H170G
Microsemi Corporation

APTGT100H170G

ნაწილი საფონდო: 545

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 560W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

სასურველი
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA120TG

ნაწილი საფონდო: 1830

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT100TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TDU60PG

ნაწილი საფონდო: 882

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Triple, Dual - Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სასურველი
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU60TG

ნაწილი საფონდო: 1678

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სასურველი
APT85GR120JD60
Microsemi Corporation

APT85GR120JD60

ნაწილი საფონდო: 1831

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 116A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

სასურველი
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4

ნაწილი საფონდო: 1985

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 283A, სიმძლავრე - მაქს: 682W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

სასურველი
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN60JDQ4

ნაწილი საფონდო: 2056

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, სიმძლავრე - მაქს: 536W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

სასურველი
APTGFQ25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGFQ25H120T2G

ნაწილი საფონდო: 1323

IGBT ტიპი: NPT and Fieldstop, კონფიგურაცია: Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, სიმძლავრე - მაქს: 227W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

სასურველი
APTGT200A120G
Microsemi Corporation

APTGT200A120G

ნაწილი საფონდო: 466

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 280A, სიმძლავრე - მაქს: 890W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

სასურველი
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation

APTGT200DU120G

ნაწილი საფონდო: 608

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 280A, სიმძლავრე - მაქს: 890W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

სასურველი
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation

APT100GT120JU2

ნაწილი საფონდო: 2200

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 140A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

სასურველი
APTCV60TLM45T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM45T3G

ნაწილი საფონდო: 3094

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter - IGBT, FET, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სასურველი
APT85GR120J
Microsemi Corporation

APT85GR120J

ნაწილი საფონდო: 2135

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 116A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

სასურველი
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation

APTGT75A1202G

ნაწილი საფონდო: 548

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30TL60T3G

ნაწილი საფონდო: 3068

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 90W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

სასურველი
APT50GF60JCU2
Microsemi Corporation

APT50GF60JCU2

ნაწილი საფონდო: 598

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სასურველი
APT25GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GF120JCU2

ნაწილი საფონდო: 619

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, სიმძლავრე - მაქს: 227W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

სასურველი
APT15GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT15GF120JCU2

ნაწილი საფონდო: 601

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, სიმძლავრე - მაქს: 156W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

სასურველი
APT75GN120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3

ნაწილი საფონდო: 2245

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 124A, სიმძლავრე - მაქს: 379W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DH120T3G

ნაწილი საფონდო: 608

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T2G

ნაწილი საფონდო: 565

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

ნაწილი საფონდო: 1378

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

სასურველი
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

ნაწილი საფონდო: 1989

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

სასურველი
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

ნაწილი საფონდო: 2465

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, სიმძლავრე - მაქს: 170W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

სასურველი
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

ნაწილი საფონდო: 620

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, სიმძლავრე - მაქს: 690W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

სასურველი
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

ნაწილი საფონდო: 595

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სასურველი
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

ნაწილი საფონდო: 549

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სასურველი
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

ნაწილი საფონდო: 602

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 385W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

ნაწილი საფონდო: 625

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 140A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

სასურველი
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

ნაწილი საფონდო: 542

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 280W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

სასურველი
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

ნაწილი საფონდო: 1816

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 128A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

სასურველი