დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 13

1N6660

ნაწილი საფონდო: 559

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

1N7037CCU1

ნაწილი საფონდო: 4746

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.22V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

1N6659

ნაწილი საფონდო: 4137

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

5962-1621001VXC

ნაწილი საფონდო: 4957

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 140V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.08V @ 700mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

5962-1621001QXC

ნაწილი საფონდო: 4919

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 140V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.08V @ 700mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

689-3P

ნაწილი საფონდო: 4108

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

ნაწილი საფონდო: 10437

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

ნაწილი საფონდო: 532

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 480A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X30D100J

ნაწილი საფონდო: 3175

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 28A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X31D20J

ნაწილი საფონდო: 3498

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

ნაწილი საფონდო: 3829

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

ნაწილი საფონდო: 3118

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.8V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X101D30J

ნაწილი საფონდო: 2748

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

ნაწილი საფონდო: 1164

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X60D60J

ნაწილი საფონდო: 3356

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

ნაწილი საფონდო: 3407

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X31D120J

ნაწილი საფონდო: 2782

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

ნაწილი საფონდო: 739

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 50A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

ნაწილი საფონდო: 842

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X101D100J

ნაწილი საფონდო: 2286

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 95A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

ნაწილი საფონდო: 179

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X31D100J

ნაწილი საფონდო: 3191

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 28A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X61D120J

ნაწილი საფონდო: 2464

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 53A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X60D120J

ნაწილი საფონდო: 2442

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 53A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X61D20J

ნაწილი საფონდო: 3266

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

ნაწილი საფონდო: 3220

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.1V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X101D120J

ნაწილი საფონდო: 1994

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 93A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

ნაწილი საფონდო: 2375

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X100D100J

ნაწილი საფონდო: 2278

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 95A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

ნაწილი საფონდო: 14745

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X61DQ60J

ნაწილი საფონდო: 3789

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT15D60BCTG

ნაწილი საფონდო: 21444

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X30D60J

ნაწილი საფონდო: 4152

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT2X100DQ100J

ნაწილი საფონდო: 3296

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT15D100BCTG

ნაწილი საფონდო: 17440

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30D40BCTG

ნაწილი საფონდო: 10774

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი