Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
APT15D100BHBG
Microsemi Corporation

APT15D100BHBG

ნაწილი საფონდო: 3846

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSCD120-12
Microsemi Corporation

MSCD120-12

ნაწილი საფონდო: 3126

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.43V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSKD70-12
Microsemi Corporation

MSKD70-12

ნაწილი საფონდო: 3640

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.48V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSCD200-12
Microsemi Corporation

MSCD200-12

ნაწილი საფონდო: 1707

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSCD200-16
Microsemi Corporation

MSCD200-16

ნაწილი საფონდო: 1634

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSCD60-12
Microsemi Corporation

MSCD60-12

ნაწილი საფონდო: 3374

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSCD60-16
Microsemi Corporation

MSCD60-16

ნაწილი საფონდო: 3713

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSKD165-16
Microsemi Corporation

MSKD165-16

ნაწილი საფონდო: 1961

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 165A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST30100
Microsemi Corporation

FST30100

ნაწილი საფონდო: 15979

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3045CTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83378

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3045FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3045FCTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83376

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3040FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3040FCTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83345

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSCD36-08
Microsemi Corporation

MSCD36-08

ნაწილი საფონდო: 161

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 36A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3060FCTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83401

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3090FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3090FCTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83419

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3050CTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83420

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30100CTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR30100CTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83396

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S16-4150E3/TR13
Microsemi Corporation

S16-4150E3/TR13

ნაწილი საფონდო: 33996

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR40100PTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR40100PTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 77627

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S8-4148E3/TR7
Microsemi Corporation

S8-4148E3/TR7

ნაწილი საფონდო: 35633

დიოდის კონფიგურაცია: 4 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S16-4148E3/TR13
Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR13

ნაწილი საფონდო: 33968

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S8-4148/TR13
Microsemi Corporation

S8-4148/TR13

ნაწილი საფონდო: 29651

დიოდის კონფიგურაცია: 4 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S8-4150E3/TR7
Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR7

ნაწილი საფონდო: 35658

დიოდის კონფიგურაცია: 4 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S8-4150E3/TR13
Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR13

ნაწილი საფონდო: 44423

დიოდის კონფიგურაცია: 4 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3040CTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3040CTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83326

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3060CTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3060CTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83324

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S16-4148E3/TR7
Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR7

ნაწილი საფონდო: 27341

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S16-4150/TR13
Microsemi Corporation

S16-4150/TR13

ნაწილი საფონდო: 27323

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3080FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3080FCTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83408

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S16-4148/TR7
Microsemi Corporation

S16-4148/TR7

ნაწილი საფონდო: 20355

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S16-4148/TR13
Microsemi Corporation

S16-4148/TR13

ნაწილი საფონდო: 27309

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S8-4148/TR7
Microsemi Corporation

S8-4148/TR7

ნაწილი საფონდო: 23783

დიოდის კონფიგურაცია: 4 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3050FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3050FCTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83385

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S8-4150/TR7
Microsemi Corporation

S8-4150/TR7

ნაწილი საფონდო: 23768

დიოდის კონფიგურაცია: 4 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20200CTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR20200CTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83329

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3080CTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3080CTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83384

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი