ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 5

APT85GR120L

ნაწილი საფონდო: 4352

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 170A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 340A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, სიმძლავრე - მაქს: 962W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT64GA90B2D30

ნაწილი საფონდო: 5459

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 117A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 193A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT25GR120S

ნაწილი საფონდო: 8706

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 521W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT35GP120B2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 3425

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 96A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 140A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30GP60BG

ნაწილი საფონდო: 6877

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 463W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT25GN120BG

ნაწილი საფონდო: 9003

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 67A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 272W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GR120B2

ნაწილი საფონდო: 6076

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 117A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 694W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDLG

ნაწილი საფონდო: 3743

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 106A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 694W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT80GA60B

ნაწილი საფონდო: 6029

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 143A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 240A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT36GA60BD15

ნაწილი საფონდო: 8494

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 109A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 290W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT40GR120B2D30

ნაწილი საფონდო: 5976

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 88A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT70GR120B2

ნაწილი საფონდო: 5872

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 160A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 280A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, სიმძლავრე - მაქს: 961W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT70GR120L

ნაწილი საფონდო: 5006

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 160A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 280A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, სიმძლავრე - მაქს: 961W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT70GR65B

ნაწილი საფონდო: 9503

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 134A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 260A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, სიმძლავრე - მაქს: 595W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT40GR120S

ნაწილი საფონდო: 6836

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 88A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GN120B2G

ნაწილი საფონდო: 6219

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 134A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT35GP120BG

ნაწილი საფონდო: 4037

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 96A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 140A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GR120L

ნაწილი საფონდო: 7440

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 117A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 694W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT25GP120BG

ნაწილი საფონდო: 6960

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 69A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 417W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT13GP120BG

ნაწილი საფონდო: 10841

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 41A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 50A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT68GA60B

ნაწილი საფონდო: 7230

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 121A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 202A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 520W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT35GN120L2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 5728

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 94A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 105A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, სიმძლავრე - მაქს: 379W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT15GT60BRG

ნაწილი საფონდო: 17440

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 42A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 184W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GS60BRDLG

ნაწილი საფონდო: 7256

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 195A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 415W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT100GN60B2G

ნაწილი საფონდო: 6392

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 229A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 300A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30GT60BRG

ნაწილი საფონდო: 10467

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 64A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 110A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT75GN60BG

ნაწილი საფონდო: 8678

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 155A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 225A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 536W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT150GN60B2G

ნაწილი საფონდო: 3491

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 450A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, სიმძლავრე - მაქს: 536W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GN60BG

ნაწილი საფონდო: 13902

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 107A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 366W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GS60BRG

ნაწილი საფონდო: 9786

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 195A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 415W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30GN60BG

ნაწილი საფონდო: 19623

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 63A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 203W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GF120B2RG

ნაწილი საფონდო: 3865

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 781W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT15GT120BRG

ნაწილი საფონდო: 12117

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 36A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30GP60B2DLG

ნაწილი საფონდო: 7454

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 463W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30GN60BDQ2G

ნაწილი საფონდო: 14922

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 63A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 203W,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT20GN60BDQ1G

ნაწილი საფონდო: 20011

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 136W,

სასურველი