Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი
APT85GR120B2
Microsemi Corporation

APT85GR120B2

ნაწილი საფონდო: 4316

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 170A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 340A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, სიმძლავრე - მაქს: 962W,

სასურველი
APT45GR65B
Microsemi Corporation

APT45GR65B

ნაწილი საფონდო: 10884

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 92A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 168A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, სიმძლავრე - მაქს: 357W,

სასურველი
APT25GR120SD15
Microsemi Corporation

APT25GR120SD15

ნაწილი საფონდო: 6784

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 521W,

სასურველი
APT30GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GS60BRDQ2G

ნაწილი საფონდო: 8545

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 54A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 113A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT35GA90BD15
Microsemi Corporation

APT35GA90BD15

ნაწილი საფონდო: 8990

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 63A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 105A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, სიმძლავრე - მაქს: 290W,

სასურველი
APT25GP120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT25GP120BDQ1G

ნაწილი საფონდო: 5387

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 69A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 417W,

სასურველი
APT40GR120B
Microsemi Corporation

APT40GR120B

ნაწილი საფონდო: 7864

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 88A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი
APT50GF120LRG
Microsemi Corporation

APT50GF120LRG

ნაწილი საფონდო: 3226

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 781W,

სასურველი
APT36GA60B
Microsemi Corporation

APT36GA60B

ნაწილი საფონდო: 10848

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 109A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 290W,

სასურველი
APT25GN120SG
Microsemi Corporation

APT25GN120SG

ნაწილი საფონდო: 7823

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 67A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 272W,

სასურველი
APT45GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT45GP120B2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 3343

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 113A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 170A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT65GP60B2G
Microsemi Corporation

APT65GP60B2G

ნაწილი საფონდო: 3477

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 250A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, სიმძლავრე - მაქს: 833W,

სასურველი
APT33GF120BRG
Microsemi Corporation

APT33GF120BRG

ნაწილი საფონდო: 6611

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 52A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 104A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 297W,

სასურველი
APT80GA60LD40
Microsemi Corporation

APT80GA60LD40

ნაწილი საფონდო: 5111

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 143A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 240A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT50GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT50GN120L2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 3928

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 134A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT50GT60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT60BRDQ2G

ნაწილი საფონდო: 8198

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 446W,

სასურველი
APT25GR120BD15
Microsemi Corporation

APT25GR120BD15

ნაწილი საფონდო: 8367

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 521W,

სასურველი
APT27GA90BD15
Microsemi Corporation

APT27GA90BD15

ნაწილი საფონდო: 9145

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 48A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 79A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A, სიმძლავრე - მაქს: 223W,

სასურველი
APT25GT120BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT25GT120BRDQ2G

ნაწილი საფონდო: 7393

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 54A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 347W,

სასურველი
APT25GT120BRG
Microsemi Corporation

APT25GT120BRG

ნაწილი საფონდო: 9392

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 54A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 347W,

სასურველი
APT50GT120B2RG
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RG

ნაწილი საფონდო: 4226

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 94A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT75GN120LG
Microsemi Corporation

APT75GN120LG

ნაწილი საფონდო: 4252

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 225A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 833W,

სასურველი
APT25GR120B
Microsemi Corporation

APT25GR120B

ნაწილი საფონდო: 10487

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 521W,

სასურველი
APT30GT60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GT60BRDQ2G

ნაწილი საფონდო: 10975

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 64A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 110A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT40GT60BRG
Microsemi Corporation

APT40GT60BRG

ნაწილი საფონდო: 7056

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 345W,

სასურველი
APT60GT60BRG
Microsemi Corporation

APT60GT60BRG

ნაწილი საფონდო: 6334

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 360A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი
APT65GP60L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT65GP60L2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 3385

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 198A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 250A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, სიმძლავრე - მაქს: 833W,

სასურველი
APT75GP120B2G
Microsemi Corporation

APT75GP120B2G

ნაწილი საფონდო: 2676

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 300A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 1042W,

სასურველი
APT75GN120B2G
Microsemi Corporation

APT75GN120B2G

ნაწილი საფონდო: 5110

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 225A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 833W,

სასურველი
APT50GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT50GP60B2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 4373

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 190A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT40GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT40GP60B2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 4770

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT50GP60BG
Microsemi Corporation

APT50GP60BG

ნაწილი საფონდო: 5801

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 190A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT40GP60SG
Microsemi Corporation

APT40GP60SG

ნაწილი საფონდო: 6297

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT25GR120SSCD10
Microsemi Corporation

APT25GR120SSCD10

ნაწილი საფონდო: 4355

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 521W,

სასურველი
APT44GA60BD30C
Microsemi Corporation

APT44GA60BD30C

ნაწილი საფონდო: 6845

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 78A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 130A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A, სიმძლავრე - მაქს: 337W,

სასურველი
APT33GF120LRDQ2G
Microsemi Corporation

APT33GF120LRDQ2G

ნაწილი საფონდო: 6891

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 64A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 357W,

სასურველი