Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი
APT40GP60BG
Microsemi Corporation

APT40GP60BG

ნაწილი საფონდო: 6764

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT15GP90KG
Microsemi Corporation

APT15GP90KG

ნაწილი საფონდო: 6829

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 43A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT15GP90BG
Microsemi Corporation

APT15GP90BG

ნაწილი საფონდო: 9246

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 43A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT30GP60LDLG
Microsemi Corporation

APT30GP60LDLG

ნაწილი საფონდო: 7363

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 463W,

სასურველი
APT25GP90BDQ1G
Microsemi Corporation

APT25GP90BDQ1G

ნაწილი საფონდო: 7620

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 72A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 110A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 417W,

სასურველი
APT50GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GS60BRDQ2G

ნაწილი საფონდო: 6273

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 195A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 415W,

სასურველი
APT15GP60BDLG
Microsemi Corporation

APT15GP60BDLG

ნაწილი საფონდო: 9155

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 56A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 65A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT95GR65JDU60
Microsemi Corporation

APT95GR65JDU60

ნაწილი საფონდო: 6813

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 380A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A, სიმძლავრე - მაქს: 446W,

სასურველი
APT70GR65B2SCD30
Microsemi Corporation

APT70GR65B2SCD30

ნაწილი საფონდო: 5004

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 134A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 260A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, სიმძლავრე - მაქს: 595W,

სასურველი
APT45GR65BSCD10
Microsemi Corporation

APT45GR65BSCD10

ნაწილი საფონდო: 8278

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 118A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 224A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT45GR65SSCD10
Microsemi Corporation

APT45GR65SSCD10

ნაწილი საფონდო: 7499

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 118A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 224A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT50GP60LDLG
Microsemi Corporation

APT50GP60LDLG

ნაწილი საფონდო: 6759

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 190A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT30GS60KRG
Microsemi Corporation

APT30GS60KRG

ნაწილი საფონდო: 6751

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 54A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 113A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT40GR120B2SCD10
Microsemi Corporation

APT40GR120B2SCD10

ნაწილი საფონდო: 3452

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 88A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი
APT25GR120BSCD10
Microsemi Corporation

APT25GR120BSCD10

ნაწილი საფონდო: 4673

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 521W,

სასურველი
APT44GA60B
Microsemi Corporation

APT44GA60B

ნაწილი საფონდო: 13747

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 78A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 130A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A, სიმძლავრე - მაქს: 337W,

სასურველი
APT102GA60B2
Microsemi Corporation

APT102GA60B2

ნაწილი საფონდო: 6806

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 183A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 307A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A, სიმძლავრე - მაქს: 780W,

სასურველი
APT100GT60B2RG
Microsemi Corporation

APT100GT60B2RG

ნაწილი საფონდო: 5319

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 148A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 300A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი
APT30GS60BRDLG
Microsemi Corporation

APT30GS60BRDLG

ნაწილი საფონდო: 9592

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 54A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 113A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT75GN60B2DQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN60B2DQ3G

ნაწილი საფონდო: 6653

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 155A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 225A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 536W,

სასურველი
APT40GP90B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT40GP90B2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 4308

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 101A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT25GP90BG
Microsemi Corporation

APT25GP90BG

ნაწილი საფონდო: 8250

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 72A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 110A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 417W,

სასურველი
APT30GT60KRG
Microsemi Corporation

APT30GT60KRG

ნაწილი საფონდო: 6650

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 64A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 110A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT20GN60BG
Microsemi Corporation

APT20GN60BG

ნაწილი საფონდო: 23508

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 136W,

სასურველი
APT20GT60BRG
Microsemi Corporation

APT20GT60BRG

ნაწილი საფონდო: 13897

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 43A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 80A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 174W,

სასურველი
APT20GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GF120BRDQ1G

ნაწილი საფონდო: 6633

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 36A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 64A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 200W,

სასურველი
APT20GF120BRG
Microsemi Corporation

APT20GF120BRG

ნაწილი საფონდო: 6692

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 32A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 64A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 200W,

სასურველი
APT15GT60KRG
Microsemi Corporation

APT15GT60KRG

ნაწილი საფონდო: 6607

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 42A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 184W,

სასურველი
APT15GP60KG
Microsemi Corporation

APT15GP60KG

ნაწილი საფონდო: 5709

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 56A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 65A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT15GN120KG
Microsemi Corporation

APT15GN120KG

ნაწილი საფონდო: 6596

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 195W,

სასურველი
APT13GP120KG
Microsemi Corporation

APT13GP120KG

ნაწილი საფონდო: 6676

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 41A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 50A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT11GP60BDQBG
Microsemi Corporation

APT11GP60BDQBG

ნაწილი საფონდო: 6595

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 41A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A, სიმძლავრე - მაქს: 187W,

სასურველი
APT11GF120KRG
Microsemi Corporation

APT11GF120KRG

ნაწილი საფონდო: 6674

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 44A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A, სიმძლავრე - მაქს: 156W,

სასურველი
APT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT11GF120BRDQ1G

ნაწილი საფონდო: 6645

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 24A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A, სიმძლავრე - მაქს: 156W,

სასურველი
APT15GP90BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GP90BDQ1G

ნაწილი საფონდო: 9002

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 43A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT15GP60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GP60BDQ1G

ნაწილი საფონდო: 12383

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 56A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 65A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი