Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი
APT150GN60LDQ4G
Microsemi Corporation

APT150GN60LDQ4G

ნაწილი საფონდო: 3228

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 450A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, სიმძლავრე - მაქს: 536W,

სასურველი
APT50GN60BDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GN60BDQ2G

ნაწილი საფონდო: 9330

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 107A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 366W,

სასურველი
APT15GT60BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GT60BRDQ1G

ნაწილი საფონდო: 20246

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 42A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 184W,

სასურველი
APT68GA60B2D40
Microsemi Corporation

APT68GA60B2D40

ნაწილი საფონდო: 6971

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 121A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 202A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 520W,

სასურველი
APT75GN60LDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN60LDQ3G

ნაწილი საფონდო: 5921

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 155A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 225A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 536W,

სასურველი
APT68GA60LD40
Microsemi Corporation

APT68GA60LD40

ნაწილი საფონდო: 6948

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 121A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 202A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 520W,

სასურველი
APT45GR65B2DU30
Microsemi Corporation

APT45GR65B2DU30

ნაწილი საფონდო: 10147

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 118A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 224A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT70GR65B2DU40
Microsemi Corporation

APT70GR65B2DU40

ნაწილი საფონდო: 8839

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 134A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 280A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, სიმძლავრე - მაქს: 595W,

სასურველი
APT40GP90BG
Microsemi Corporation

APT40GP90BG

ნაწილი საფონდო: 4206

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 543W,

სასურველი
APT44GA60BD30
Microsemi Corporation

APT44GA60BD30

ნაწილი საფონდო: 10083

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 78A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 130A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A, სიმძლავრე - მაქს: 337W,

სასურველი
APT80GA90LD40
Microsemi Corporation

APT80GA90LD40

ნაწილი საფონდო: 5400

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 145A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 239A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT64GA90B
Microsemi Corporation

APT64GA90B

ნაწილი საფონდო: 8162

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 117A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 193A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი
APT64GA90LD30
Microsemi Corporation

APT64GA90LD30

ნაწილი საფონდო: 6579

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 117A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 193A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი
APT54GA60B
Microsemi Corporation

APT54GA60B

ნაწილი საფონდო: 11075

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 96A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 161A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, სიმძლავრე - მაქს: 416W,

სასურველი
APT50GT120B2RDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDQ2G

ნაწილი საფონდო: 4613

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 94A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT25GN120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT25GN120B2DQ2G

ნაწილი საფონდო: 7473

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 67A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 272W,

სასურველი
APT15GT120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GT120BRDQ1G

ნაწილი საფონდო: 11168

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 36A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT45GP120BG
Microsemi Corporation

APT45GP120BG

ნაწილი საფონდო: 3545

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 170A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT15GN120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GN120BDQ1G

ნაწილი საფონდო: 10827

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 195W,

სასურველი
APT50GT120LRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT120LRDQ2G

ნაწილი საფონდო: 4370

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 106A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 694W,

სასურველი
APT35GA90B
Microsemi Corporation

APT35GA90B

ნაწილი საფონდო: 14857

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 63A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 105A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, სიმძლავრე - მაქს: 290W,

სასურველი
APT200GN60B2G
Microsemi Corporation

APT200GN60B2G

ნაწილი საფონდო: 3095

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 283A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 600A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, სიმძლავრე - მაქს: 682W,

სასურველი
APT102GA60L
Microsemi Corporation

APT102GA60L

ნაწილი საფონდო: 4595

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 183A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 307A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A, სიმძლავრე - მაქს: 780W,

სასურველი
APT80GA90B
Microsemi Corporation

APT80GA90B

ნაწილი საფონდო: 6126

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 145A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 239A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი
APT13GP120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT13GP120BDQ1G

ნაწილი საფონდო: 9652

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 41A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 50A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
APT54GA60BD30
Microsemi Corporation

APT54GA60BD30

ნაწილი საფონდო: 9202

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 96A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 161A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, სიმძლავრე - მაქს: 416W,

სასურველი
APT100GN120B2G
Microsemi Corporation

APT100GN120B2G

ნაწილი საფონდო: 2601

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 245A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 300A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, სიმძლავრე - მაქს: 960W,

სასურველი
APT35GN120BG
Microsemi Corporation

APT35GN120BG

ნაწილი საფონდო: 7198

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 94A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 105A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, სიმძლავრე - მაქს: 379W,

სასურველი
APT30GP60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT30GP60BDQ1G

ნაწილი საფონდო: 6297

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 463W,

სასურველი
APT43GA90B
Microsemi Corporation

APT43GA90B

ნაწილი საფონდო: 9181

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 78A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 129A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 337W,

სასურველი
APT50GT60BRG
Microsemi Corporation

APT50GT60BRG

ნაწილი საფონდო: 10003

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 446W,

სასურველი
APT33GF120B2RDQ2G
Microsemi Corporation

APT33GF120B2RDQ2G

ნაწილი საფონდო: 3825

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 64A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 357W,

სასურველი
APT20GT60BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GT60BRDQ1G

ნაწილი საფონდო: 9530

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 43A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 80A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 174W,

სასურველი
APT43GA90BD30
Microsemi Corporation

APT43GA90BD30

ნაწილი საფონდო: 7291

IGBT ტიპი: PT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 78A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 129A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, სიმძლავრე - მაქს: 337W,

სასურველი
APT95GR65B2
Microsemi Corporation

APT95GR65B2

ნაწილი საფონდო: 6557

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 208A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 400A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A, სიმძლავრე - მაქს: 892W,

სასურველი
APT100GN60LDQ4G
Microsemi Corporation

APT100GN60LDQ4G

ნაწილი საფონდო: 4644

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 229A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 300A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, სიმძლავრე - მაქს: 625W,

სასურველი