ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები

სახლი
ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები

Microsemi Corporation

2N2919U

ნაწილი საფონდო: 1529

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N3810U

ნაწილი საფონდო: 2166

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N2060L

ნაწილი საფონდო: 2121

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N6987

ნაწილი საფონდო: 1248

ტრანზისტორის ტიპი: 4 PNP (Quad), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N6988

ნაწილი საფონდო: 1523

ტრანზისტორის ტიპი: 4 PNP (Quad), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N2919L

ნაწილი საფონდო: 2004

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N2920U

ნაწილი საფონდო: 161

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N3838

ნაწილი საფონდო: 1633

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N2920L

ნაწილი საფონდო: 2061

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N6990

ნაწილი საფონდო: 1262

ტრანზისტორის ტიპი: 4 NPN (Quad), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N5795

ნაწილი საფონდო: 1968

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N2920

ნაწილი საფონდო: 2258

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N3810L

ნაწილი საფონდო: 4091

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N2919

ნაწილი საფონდო: 2136

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N3810

ნაწილი საფონდო: 3259

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N6989

ნაწილი საფონდო: 4437

ტრანზისტორის ტიპი: 4 NPN (Quad), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N3811L

ნაწილი საფონდო: 4456

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N3811U

ნაწილი საფონდო: 4453

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

2N3811

ნაწილი საფონდო: 4521

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

ნაწილი საფონდო: 1050

ტრანზისტორის ტიპი: 4 NPN (Quad), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

SG2013J-883B

ნაწილი საფონდო: 1020

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

სასურველი

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

ნაწილი საფონდო: 4491

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

სასურველი

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

ნაწილი საფონდო: 4488

ტრანზისტორის ტიპი: 8 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTX2N6988

ნაწილი საფონდო: 4551

ტრანზისტორის ტიპი: 4 PNP (Quad), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

ნაწილი საფონდო: 4513

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

SG2003J-883B

ნაწილი საფონდო: 4460

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

ნაწილი საფონდო: 1613

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JAN2N2919L

ნაწილი საფონდო: 1921

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JAN2N6987

ნაწილი საფონდო: 1383

ტრანზისტორის ტიპი: 4 PNP (Quad), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

ნაწილი საფონდო: 1675

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTX2N6987

ნაწილი საფონდო: 1284

ტრანზისტორის ტიპი: 4 PNP (Quad), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

ნაწილი საფონდო: 163

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

ნაწილი საფონდო: 1620

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

ნაწილი საფონდო: 301

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

ნაწილი საფონდო: 980

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Microsemi Corporation

JAN2N2060L

ნაწილი საფონდო: 1262

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სასურველი

89

«
1
2
3
»