Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

ნაწილი საფონდო: 5307

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სასურველი
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

ნაწილი საფონდო: 531

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

ნაწილი საფონდო: 541

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

ნაწილი საფონდო: 521

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

ნაწილი საფონდო: 490

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

ნაწილი საფონდო: 478

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

ნაწილი საფონდო: 540

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 130A, სიმძლავრე - მაქს: 465W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

ნაწილი საფონდო: 464

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, სიმძლავრე - მაქს: 520W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

ნაწილი საფონდო: 555

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

ნაწილი საფონდო: 545

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, სიმძლავრე - მაქს: 520W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

ნაწილი საფონდო: 548

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

ნაწილი საფონდო: 526

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

ნაწილი საფონდო: 526

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 760A, სიმძლავრე - მაქს: 1600W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

სასურველი
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

ნაწილი საფონდო: 482

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

ნაწილი საფონდო: 514

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

ნაწილი საფონდო: 476

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

ნაწილი საფონდო: 541

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

ნაწილი საფონდო: 552

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

ნაწილი საფონდო: 528

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

ნაწილი საფონდო: 3071

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

ნაწილი საფონდო: 518

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

ნაწილი საფონდო: 496

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

ნაწილი საფონდო: 535

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 310W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

ნაწილი საფონდო: 520

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

ნაწილი საფონდო: 494

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

ნაწილი საფონდო: 483

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

ნაწილი საფონდო: 517

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 550A, სიმძლავრე - მაქს: 1750W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

სასურველი
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

ნაწილი საფონდო: 472

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500A, სიმძლავრე - მაქს: 1250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

სასურველი
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

ნაწილი საფონდო: 507

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 580A, სიმძლავრე - მაქს: 2100W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

სასურველი
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

ნაწილი საფონდო: 463

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 580A, სიმძლავრე - მაქს: 2100W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

სასურველი
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

ნაწილი საფონდო: 527

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 55A, სიმძლავრე - მაქს: 205W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

სასურველი
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

ნაწილი საფონდო: 522

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 55A, სიმძლავრე - მაქს: 208W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

სასურველი
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

ნაწილი საფონდო: 463

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 55A, სიმძლავრე - მაქს: 205W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

სასურველი
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

ნაწილი საფონდო: 481

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 55A, სიმძლავრე - მაქს: 205W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

სასურველი
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

ნაწილი საფონდო: 507

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, სიმძლავრე - მაქს: 210W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

სასურველი