ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 16

APTGL90DH120T3G

ნაწილი საფონდო: 541

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 385W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

ნაწილი საფონდო: 556

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual Buck Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

ნაწილი საფონდო: 534

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 280W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

ნაწილი საფონდო: 607

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

ნაწილი საფონდო: 579

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, სიმძლავრე - მაქს: 208W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

ნაწილი საფონდო: 542

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 130A, სიმძლავრე - მაქს: 780W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

ნაწილი საფონდო: 560

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 230A, სიმძლავრე - მაქს: 833W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

ნაწილი საფონდო: 5334

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

ნაწილი საფონდო: 574

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT70GR120J

ნაწილი საფონდო: 2416

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 112A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

ნაწილი საფონდო: 2286

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 84A, სიმძლავრე - მაქს: 417W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT200GN60J

ნაწილი საფონდო: 2197

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 283A, სიმძლავრე - მაქს: 682W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

ნაწილი საფონდო: 578

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

ნაწილი საფონდო: 3071

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

ნაწილი საფონდო: 594

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

ნაწილი საფონდო: 580

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 210A, სიმძლავრე - მაქს: 1041W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

ნაწილი საფონდო: 540

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, სიმძლავრე - მაქს: 568W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

ნაწილი საფონდო: 581

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 416W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

ნაწილი საფონდო: 600

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 210A, სიმძლავრე - მაქს: 961W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

ნაწილი საფონდო: 585

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

ნაწილი საფონდო: 3077

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 42A, სიმძლავრე - მაქს: 140W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

ნაწილი საფონდო: 609

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter - IGBT, FET, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 90W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

ნაწილი საფონდო: 524

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter - IGBT, FET, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 280W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

ნაწილი საფონდო: 1322

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 215A, სიმძლავრე - მაქს: 625W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

ნაწილი საფონდო: 530

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

ნაწილი საფონდო: 491

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

ნაწილი საფონდო: 539

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

ნაწილი საფონდო: 476

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 90W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

ნაწილი საფონდო: 466

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

ნაწილი საფონდო: 528

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, სიმძლავრე - მაქს: 156W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

ნაწილი საფონდო: 540

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, სიმძლავრე - მაქს: 156W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

ნაწილი საფონდო: 546

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

ნაწილი საფონდო: 487

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 115W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

სასურველი