ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 16

APTGT150DA120G

ნაწილი საფონდო: 1025

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, სიმძლავრე - მაქს: 690W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G

ნაწილი საფონდო: 507

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 610A, სიმძლავრე - მაქს: 2080W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT150A60T1G

ნაწილი საფონდო: 1880

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 225A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG

ნაწილი საფონდო: 285

კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 365W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT75TDU120PG

ნაწილი საფონდო: 685

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Triple, Dual - Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 350W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T3G

ნაწილი საფონდო: 285

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 175W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGLQ40H120T1G

ნაწილი საფონდო: 1701

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT300A60G

ნაწილი საფონდო: 824

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 430A, სიმძლავრე - მაქს: 1150W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT100DA120T1G

ნაწილი საფონდო: 2132

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 140A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGLQ40HR120CT3G

ნაწილი საფონდო: 1678

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT75H60T2G

ნაწილი საფონდო: 1713

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT200A170D3G

ნაწილი საფონდო: 586

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 400A, სიმძლავრე - მაქს: 1250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT300DH60G

ნაწილი საფონდო: 698

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 430A, სიმძლავრე - მაქს: 1150W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT20H60T1G

ნაწილი საფონდო: 2483

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 32A, სიმძლავრე - მაქს: 62W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT150H120G

ნაწილი საფონდო: 519

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, სიმძლავრე - მაქს: 690W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT75DA120TG

ნაწილი საფონდო: 1737

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 357W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT50A120T1G

ნაწილი საფონდო: 1412

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT30A170T1G

ნაწილი საფონდო: 2036

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, სიმძლავრე - მაქს: 210W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGL700U120D4G

ნაწილი საფონდო: 608

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 910A, სიმძლავრე - მაქს: 3000W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT400DA60D3G

ნაწილი საფონდო: 1098

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500A, სიმძლავრე - მაქს: 1250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT50SK170TG

ნაწილი საფონდო: 1637

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT30H170T3G

ნაწილი საფონდო: 1338

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, სიმძლავრე - მაქს: 210W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT30TL601G

ნაწილი საფონდო: 2151

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 90W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT25X120T3G

ნაწილი საფონდო: 1534

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, სიმძლავრე - მაქს: 156W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGLQ150H120G

ნაწილი საფონდო: 301

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 250A, სიმძლავრე - მაქს: 750W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT50SK120TG

ნაწილი საფონდო: 1788

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

ნაწილი საფონდო: 238

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Level Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, სიმძლავრე - მაქს: 175W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

ნაწილი საფონდო: 596

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 840A, სიმძლავრე - მაქს: 3000W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

ნაწილი საფონდო: 1078

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 225A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

ნაწილი საფონდო: 1515

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, სიმძლავრე - მაქს: 340W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

ნაწილი საფონდო: 1144

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, სიმძლავრე - მაქს: 176W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

ნაწილი საფონდო: 320

კონფიგურაცია: Dual Boost Chopper, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

ნაწილი საფონდო: 1402

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT300A120G

ნაწილი საფონდო: 588

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 420A, სიმძლავრე - მაქს: 1380W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

ნაწილი საფონდო: 1369

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 225A, სიმძლავრე - მაქს: 480W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

ნაწილი საფონდო: 762

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 560A, სიმძლავრე - მაქს: 1785W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

სასურველი