ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 16

APTGF100SK120TG

ნაწილი საფონდო: 453

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, სიმძლავრე - მაქს: 568W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

ნაწილი საფონდო: 3069

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, სიმძლავრე - მაქს: 961W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

ნაწილი საფონდო: 453

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, სიმძლავრე - მაქს: 568W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

ნაწილი საფონდო: 411

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 130A, სიმძლავრე - მაქს: 735W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

ნაწილი საფონდო: 435

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, სიმძლავრე - მაქს: 568W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

ნაწილი საფონდო: 455

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, სიმძლავრე - მაქს: 378W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

ნაწილი საფონდო: 418

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, სიმძლავრე - მაქს: 378W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

ნაწილი საფონდო: 3465

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 347W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

ნაწილი საფონდო: 3433

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 347W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

ნაწილი საფონდო: 448

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

ნაწილი საფონდო: 465

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 58A, სიმძლავრე - მაქს: 192W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

ნაწილი საფონდო: 416

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 58A, სიმძლავრე - მაქს: 192W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

ნაწილი საფონდო: 481

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, სიმძლავრე - მაქს: 416W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT75GN120J

ნაწილი საფონდო: 420

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 124A, სიმძლავრე - მაქს: 379W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

ნაწილი საფონდო: 401

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 124A, სიმძლავრე - მაქს: 379W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

ნაწილი საფონდო: 445

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, სიმძლავრე - მაქს: 378W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GP60J

ნაწილი საფონდო: 2419

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 329W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

ნაწილი საფონდო: 393

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 72A, სიმძლავრე - მაქს: 379W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

ნაწილი საფონდო: 2536

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 86A, სიმძლავრე - მაქს: 284W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

ნაწილი საფონდო: 469

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 77A, სიმძლავრე - მაქს: 347W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

ნაწილი საფონდო: 406

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 283A, სიმძლავრე - მაქს: 682W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

ნაწილი საფონდო: 1653

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 128A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

ნაწილი საფონდო: 1360

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

ნაწილი საფონდო: 2143

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 64A, სიმძლავრე - მაქს: 284W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT40GP90J

ნაწილი საფონდო: 2176

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 900V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 68A, სიმძლავრე - მაქს: 284W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

ნაწილი საფონდო: 2312

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 329W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

ნაწილი საფონდო: 2849

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 67A, სიმძლავრე - მაქს: 245W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

ნაწილი საფონდო: 351

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 312W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

ნაწილი საფონდო: 336

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 110A, სიმძლავრე - მაქს: 416W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

ნაწილი საფონდო: 3031

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

ნაწილი საფონდო: 3035

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

ნაწილი საფონდო: 285

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 130A, სიმძლავრე - მაქს: 657W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

ნაწილი საფონდო: 351

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, სიმძლავრე - მაქს: 520W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

ნაწილი საფონდო: 371

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

ნაწილი საფონდო: 316

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 270W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სასურველი

Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

ნაწილი საფონდო: 363

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 350W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სასურველი