შასის მთის წინააღმდეგობები

TA1K0PH10R0K

TA1K0PH10R0K

ნაწილი საფონდო: 433

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TA1K0PH8R00K

TA1K0PH8R00K

ნაწილი საფონდო: 417

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP800K25RE

TAP800K25RE

ნაწილი საფონდო: 553

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP650J10RE

TAP650J10RE

ნაწილი საფონდო: 62

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFE5K5R40E

PFE5K5R40E

ნაწილი საფონდო: 484

წინააღმდეგობა: 5.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 752W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

PFR5K11R0E

PFR5K11R0E

ნაწილი საფონდო: 448

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 757W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP800K75RE

TAP800K75RE

ნაწილი საფონდო: 508

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TA2K0PH10R0KE

TA2K0PH10R0KE

ნაწილი საფონდო: 313

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TA2K0PHR500KE

TA2K0PHR500KE

ნაწილი საფონდო: 344

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP800K7K5E

TAP800K7K5E

ნაწილი საფონდო: 501

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP650JR50E

TAP650JR50E

ნაწილი საფონდო: 97

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFR5K13R0

PFR5K13R0

ნაწილი საფონდო: 455

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP800J500E

TAP800J500E

ნაწილი საფონდო: 466

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

MOX-J-021004FE

MOX-J-021004FE

ნაწილი საფონდო: 486

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

TA2K0PH100RKE

TA2K0PH100RKE

ნაწილი საფონდო: 299

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TA1K0PH4R00K

TA1K0PH4R00K

ნაწილი საფონდო: 406

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

SH2-200R0005DE

SH2-200R0005DE

ნაწილი საფონდო: 451

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Metal Clad, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 110°C,

TAP800KR25E

TAP800KR25E

ნაწილი საფონდო: 379

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PSBX1R000B

PSBX1R000B

ნაწილი საფონდო: 124

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PSBWR0010F

PSBWR0010F

ნაწილი საფონდო: 154

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PSBXR1000B

PSBXR1000B

ნაწილი საფონდო: 133

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PSBXR5000B

PSBXR5000B

ნაწილი საფონდო: 184

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PSBXR0100B

PSBXR0100B

ნაწილი საფონდო: 127

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PSBXR0050F

PSBXR0050F

ნაწილი საფონდო: 135

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PSBXR2000B

PSBXR2000B

ნაწილი საფონდო: 144

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

RSJ-2000-50

RSJ-2000-50

ნაწილი საფონდო: 423

წინააღმდეგობა: 25 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-4500-50

RSL-4500-50

ნაწილი საფონდო: 140

წინააღმდეგობა: 11 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

NH250R1000FE01

NH250R1000FE01

ნაწილი საფონდო: 498

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

NH25030R00FJ01

NH25030R00FJ01

ნაწილი საფონდო: 1230

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

CFH750A120RJ

CFH750A120RJ

ნაწილი საფონდო: 136

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound,

HVR50D110MKE

HVR50D110MKE

ნაწილი საფონდო: 197

წინააღმდეგობა: 110 MOhms, ტოლერანტობა: ±3%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CFH350A4R7J

CFH350A4R7J

ნაწილი საფონდო: 258

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound,

CJT15001K8JJ

CJT15001K8JJ

ნაწილი საფონდო: 566

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT1500560RJJ

CJT1500560RJJ

ნაწილი საფონდო: 541

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CFH1100A2R7J

CFH1100A2R7J

ნაწილი საფონდო: 264

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

LPS1100H4R70JB

LPS1100H4R70JB

ნაწილი საფონდო: 475

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,