შასის მთის წინააღმდეგობები

BAB232025R0KE

BAB232025R0KE

ნაწილი საფონდო: 983

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB1160R500KE

BAB1160R500KE

ნაწილი საფონდო: 1135

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB11601R00KE

BAB11601R00KE

ნაწილი საფონდო: 1303

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB116025R0KE

BAB116025R0KE

ნაწილი საფონდო: 1347

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB116010R0KE

BAB116010R0KE

ნაწილი საფონდო: 1379

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB11602R00KE

BAB11602R00KE

ნაწილი საფონდო: 1319

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

BDS4B1001R0K

BDS4B1001R0K

ნაწილი საფონდო: 1072

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10010RK

BDS2A10010RK

ნაწილი საფონდო: 1261

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10047RK

BDS2A10047RK

ნაწილი საფონდო: 1278

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1002R2K

BDS2A1002R2K

ნაწილი საფონდო: 1214

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1004R7K

BDS2A1004R7K

ნაწილი საფონდო: 1272

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10033RK

BDS2A10033RK

ნაწილი საფონდო: 1293

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1003R3K

BDS2A1003R3K

ნაწილი საფონდო: 1236

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100470RK

BDS2A100470RK

ნაწილი საფონდო: 1241

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1006R8K

BDS2A1006R8K

ნაწილი საფონდო: 1202

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1001K0K

BDS2A1001K0K

ნაწილი საფონდო: 1219

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100220RK

BDS2A100220RK

ნაწილი საფონდო: 1244

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10022RK

BDS2A10022RK

ნაწილი საფონდო: 1279

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS4E100150R0J

BDS4E100150R0J

ნაწილი საფონდო: 1348

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100100KJ

BDS2A100100KJ

ნაწილი საფონდო: 1300

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100100RJ

BDS2A100100RJ

ნაწილი საფონდო: 1326

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1001M0J

BDS2A1001M0J

ნაწილი საფონდო: 1329

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1002K6J

BDS2A1002K6J

ნაწილი საფონდო: 1318

წინააღმდეგობა: 2.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100250RJ

BDS2A100250RJ

ნაწილი საფონდო: 1312

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS4B100R47K

BDS4B100R47K

ნაწილი საფონდო: 1326

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10033RJ

BDS2A10033RJ

ნაწილი საფონდო: 1393

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100100RK

BDS2A100100RK

ნაწილი საფონდო: 1723

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100270RJ

BDS2A100270RJ

ნაწილი საფონდო: 1391

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10050RJ

BDS2A10050RJ

ნაწილი საფონდო: 1331

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100330RK

BDS2A100330RK

ნაწილი საფონდო: 1610

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A100680RK

BDS2A100680RK

ნაწილი საფონდო: 1640

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1004K7K

BDS2A1004K7K

ნაწილი საფონდო: 1571

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10015RK

BDS2A10015RK

ნაწილი საფონდო: 1553

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A1006K8K

BDS2A1006K8K

ნაწილი საფონდო: 1624

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10068RK

BDS2A10068RK

ნაწილი საფონდო: 1568

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A10010KK

BDS2A10010KK

ნაწილი საფონდო: 1555

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,