შასის მთის წინააღმდეგობები

BDS2A2501R5J

BDS2A2501R5J

ნაწილი საფონდო: 366

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A25043RF

BDS2A25043RF

ნაწილი საფონდო: 418

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A250R47J

BDS2A250R47J

ნაწილი საფონდო: 459

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A250100RK

BDS2A250100RK

ნაწილი საფონდო: 468

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A25010RK

BDS2A25010RK

ნაწილი საფონდო: 440

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A250400RJ

BDS2A250400RJ

ნაწილი საფონდო: 452

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2502K0J

BDS2A2502K0J

ნაწილი საფონდო: 383

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A40016RJ

BDS2A40016RJ

ნაწილი საფონდო: 445

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS4B250R47K

BDS4B250R47K

ნაწილი საფონდო: 575

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS4B2501R0K

BDS4B2501R0K

ნაწილი საფონდო: 562

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A250100KK

BDS2A250100KK

ნაწილი საფონდო: 634

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2504R7K

BDS2A2504R7K

ნაწილი საფონდო: 617

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2502R2K

BDS2A2502R2K

ნაწილი საფონდო: 671

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2503R3K

BDS2A2503R3K

ნაწილი საფონდო: 630

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A250470RK

BDS2A250470RK

ნაწილი საფონდო: 688

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2501R0K

BDS2A2501R0K

ნაწილი საფონდო: 656

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2508K2K

BDS2A2508K2K

ნაწილი საფონდო: 700

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A250220RK

BDS2A250220RK

ნაწილი საფონდო: 637

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A25022RK

BDS2A25022RK

ნაწილი საფონდო: 642

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A25047RK

BDS2A25047RK

ნაწილი საფონდო: 659

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A250150RK

BDS2A250150RK

ნაწილი საფონდო: 631

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2504K7K

BDS2A2504K7K

ნაწილი საფონდო: 704

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A25088RK

BDS2A25088RK

ნაწილი საფონდო: 667

წინააღმდეგობა: 88 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2506R8K

BDS2A2506R8K

ნაწილი საფონდო: 649

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2501K0K

BDS2A2501K0K

ნაწილი საფონდო: 677

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A25044RK

BDS2A25044RK

ნაწილი საფონდო: 695

წინააღმდეგობა: 44 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A25015RK

BDS2A25015RK

ნაწილი საფონდო: 762

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2502K2K

BDS2A2502K2K

ნაწილი საფონდო: 701

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BDS2A2508R0K

BDS2A2508R0K

ნაწილი საფონდო: 665

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

BAB32666R00KE

BAB32666R00KE

ნაწილი საფონდო: 685

წინააღმდეგობა: 6 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB326615R0KE

BAB326615R0KE

ნაწილი საფონდო: 768

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB326622R0KE

BAB326622R0KE

ნაწილი საფონდო: 762

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB326650R0KE

BAB326650R0KE

ნაწილი საფონდო: 723

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB326610R0KE

BAB326610R0KE

ნაწილი საფონდო: 745

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB232010R0KE

BAB232010R0KE

ნაწილი საფონდო: 928

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound,

BAB232050R0KE

BAB232050R0KE

ნაწილი საფონდო: 921

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound,