შასის მთის წინააღმდეგობები

SH2-100R0010DE

SH2-100R0010DE

ნაწილი საფონდო: 406

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Clad, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 110°C,

TAP800J10RE

TAP800J10RE

ნაწილი საფონდო: 490

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFE5KR220E

PFE5KR220E

ნაწილი საფონდო: 523

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1017W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

PFR5K25R0

PFR5K25R0

ნაწილი საფონდო: 478

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP650J1K0E

TAP650J1K0E

ნაწილი საფონდო: 87

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFE5KR180E

PFE5KR180E

ნაწილი საფონდო: 437

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1012W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

PFE5KR100

PFE5KR100

ნაწილი საფონდო: 308

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

PFE5KR330E

PFE5KR330E

ნაწილი საფონდო: 397

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 962W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TA1K0PH100RKE

TA1K0PH100RKE

ნაწილი საფონდო: 368

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP800K7R5E

TAP800K7R5E

ნაწილი საფონდო: 508

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TA2K0PH50R0KE

TA2K0PH50R0KE

ნაწილი საფონდო: 301

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PFR5K20R0E

PFR5K20R0E

ნაწილი საფონდო: 442

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 696W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

PFE5K6R80E

PFE5K6R80E

ნაწილი საფონდო: 546

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 721W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

PFR5K25R0E

PFR5K25R0E

ნაწილი საფონდო: 503

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP600K100E

TAP600K100E

ნაწილი საფონდო: 560

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFE5K5R40

PFE5K5R40

ნაწილი საფონდო: 420

წინააღმდეგობა: 5.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 752W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP800J50RE

TAP800J50RE

ნაწილი საფონდო: 511

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

MOX-J-022506FE

MOX-J-022506FE

ნაწილი საფონდო: 435

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

TA1K0PH2R50KE

TA1K0PH2R50KE

ნაწილი საფონდო: 433

წინააღმდეგობა: 2.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

CJT150033RJJ

CJT150033RJJ

ნაწილი საფონდო: 594

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR30D7M5K

HVR30D7M5K

ნაწილი საფონდო: 323

წინააღმდეგობა: 7.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CFH1100A71R5J

CFH1100A71R5J

ნაწილი საფონდო: 293

CJT15002R7JJ

CJT15002R7JJ

ნაწილი საფონდო: 551

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR30D3M0J

HVR30D3M0J

ნაწილი საფონდო: 500

წინააღმდეგობა: 3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT1500270RJJ

CJT1500270RJJ

ნაწილი საფონდო: 534

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR30D10MK

HVR30D10MK

ნაწილი საფონდო: 322

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

HVR30D150MK

HVR30D150MK

ნაწილი საფონდო: 318

წინააღმდეგობა: 150 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

HVR30D1M0K

HVR30D1M0K

ნაწილი საფონდო: 334

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT15004R7JJ

CJT15004R7JJ

ნაწილი საფონდო: 533

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR30C10MJ

HVR30C10MJ

ნაწილი საფონდო: 393

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT1500330RJJ

CJT1500330RJJ

ნაწილი საფონდო: 593

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR50B35MK

HVR50B35MK

ნაწილი საფონდო: 189

წინააღმდეგობა: 35 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT1500680RJJ

CJT1500680RJJ

ნაწილი საფონდო: 624

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

NH2503K000FJ01

NH2503K000FJ01

ნაწილი საფონდო: 557

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

NH25020R00FJ01

NH25020R00FJ01

ნაწილი საფონდო: 561

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RSL-2500-100

RSL-2500-100

ნაწილი საფონდო: 199

წინააღმდეგობა: 40 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,