შასის მთის წინააღმდეგობები

HVR30D1M6K

HVR30D1M6K

ნაწილი საფონდო: 252

წინააღმდეგობა: 1.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT1500220RJJ

CJT1500220RJJ

ნაწილი საფონდო: 585

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT1500820RJJ

CJT1500820RJJ

ნაწილი საფონდო: 539

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT1500100RJJ

CJT1500100RJJ

ნაწილი საფონდო: 587

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT150047RJJ

CJT150047RJJ

ნაწილი საფონდო: 535

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT150068RJJ

CJT150068RJJ

ნაწილი საფონდო: 531

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR50D92KK

HVR50D92KK

ნაწილი საფონდო: 182

წინააღმდეგობა: 92 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT150027RJJ

CJT150027RJJ

ნაწილი საფონდო: 571

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CFH1100A56RJ

CFH1100A56RJ

ნაწილი საფონდო: 161

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

CFH1100A680RJ

CFH1100A680RJ

ნაწილი საფონდო: 242

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

HVR30C5M0K

HVR30C5M0K

ნაწილი საფონდო: 361

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

TAP800K50RE

TAP800K50RE

ნაწილი საფონდო: 554

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP650J2K5E

TAP650J2K5E

ნაწილი საფონდო: 80

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP800K10RE

TAP800K10RE

ნაწილი საფონდო: 554

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP650J27RE

TAP650J27RE

ნაწილი საფონდო: 127

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFE5K4R50E

PFE5K4R50E

ნაწილი საფონდო: 458

წინააღმდეგობა: 4.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 726W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP650J36RE

TAP650J36RE

ნაწილი საფონდო: 135

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFE5KR300E

PFE5KR300E

ნაწილი საფონდო: 382

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 975W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TA2K0PH750RKE

TA2K0PH750RKE

ნაწილი საფონდო: 286

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP800K750E

TAP800K750E

ნაწილი საფონდო: 516

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFR5K11R0

PFR5K11R0

ნაწილი საფონდო: 440

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 757W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

PFE5KR140E

PFE5KR140E

ნაწილი საფონდო: 417

წინააღმდეგობა: 140 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP600KR25E

TAP600KR25E

ნაწილი საფონდო: 358

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TA1K0PH10R0KE

TA1K0PH10R0KE

ნაწილი საფონდო: 426

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PFR5K17R0

PFR5K17R0

ნაწილი საფონდო: 399

წინააღმდეგობა: 17 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 740W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

PFE5KR600E

PFE5KR600E

ნაწილი საფონდო: 367

წინააღმდეგობა: 600 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1109W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP650J5K0E

TAP650J5K0E

ნაწილი საფონდო: 109

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TA2K0PH1K00KE

TA2K0PH1K00KE

ნაწილი საფონდო: 329

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TA2K0PH2R50KE

TA2K0PH2R50KE

ნაწილი საფონდო: 355

წინააღმდეგობა: 2.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

RSL-5000-50

RSL-5000-50

ნაწილი საფონდო: 167

წინააღმდეგობა: 10 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSJ-1500-100

RSJ-1500-100

ნაწილი საფონდო: 389

წინააღმდეგობა: 67 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSJ-1500-50

RSJ-1500-50

ნაწილი საფონდო: 542

წინააღმდეგობა: 33 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSJ-2000-100

RSJ-2000-100

ნაწილი საფონდო: 342

წინააღმდეგობა: 50 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-9000-50

RSL-9000-50

ნაწილი საფონდო: 82

წინააღმდეგობა: 5.6 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-3000-100

RSL-3000-100

ნაწილი საფონდო: 217

წინააღმდეგობა: 33.4 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

LPS1100H47R0JB

LPS1100H47R0JB

ნაწილი საფონდო: 395

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,