შასის მთის წინააღმდეგობები

PSBWR0020F

PSBWR0020F

ნაწილი საფონდო: 148

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

PSBWR0010B

PSBWR0010B

ნაწილი საფონდო: 143

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP650J4R7E

TAP650J4R7E

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP800K390E

TAP800K390E

ნაწილი საფონდო: 479

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP600KR50E

TAP600KR50E

ნაწილი საფონდო: 394

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFR5K17R0E

PFR5K17R0E

ნაწილი საფონდო: 404

წინააღმდეგობა: 17 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 740W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TA2K0PH7R50KE

TA2K0PH7R50KE

ნაწილი საფონდო: 322

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP800K15RE

TAP800K15RE

ნაწილი საფონდო: 486

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP600K5R0E

TAP600K5R0E

ნაწილი საფონდო: 544

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TA1K0PH500RKE

TA1K0PH500RKE

ნაწილი საფონდო: 389

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP650J50RE

TAP650J50RE

ნაწილი საფონდო: 77

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TA2K0PH15R0KE

TA2K0PH15R0KE

ნაწილი საფონდო: 290

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP800J100E

TAP800J100E

ნაწილი საფონდო: 512

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP800K300E

TAP800K300E

ნაწილი საფონდო: 565

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP800K5K0E

TAP800K5K0E

ნაწილი საფონდო: 573

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP800K1R0E

TAP800K1R0E

ნაწილი საფონდო: 492

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFE5KR670

PFE5KR670

ნაწილი საფონდო: 386

წინააღმდეგობა: 670 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1126W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

HVR50D82M5J

HVR50D82M5J

ნაწილი საფონდო: 167

წინააღმდეგობა: 82.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CFH350B620RJ

CFH350B620RJ

ნაწილი საფონდო: 211

CJT15001K0JJ

CJT15001K0JJ

ნაწილი საფონდო: 562

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT150015RJJ

CJT150015RJJ

ნაწილი საფონდო: 569

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT150022RJJ

CJT150022RJJ

ნაწილი საფონდო: 560

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR50D100MK

HVR50D100MK

ნაწილი საფონდო: 168

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT15006R8JJ

CJT15006R8JJ

ნაწილი საფონდო: 584

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR50D10MK

HVR50D10MK

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

HVR30B500KF

HVR30B500KF

ნაწილი საფონდო: 504

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT15003R3JJ

CJT15003R3JJ

ნაწილი საფონდო: 547

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

RSL-4500-100

RSL-4500-100

ნაწილი საფონდო: 123

წინააღმდეგობა: 22 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-7500-50

RSL-7500-50

ნაწილი საფონდო: 159

წინააღმდეგობა: 6.7 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-6000-100

RSL-6000-100

ნაწილი საფონდო: 105

წინააღმდეგობა: 16.7 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-5000-100

RSL-5000-100

ნაწილი საფონდო: 176

წინააღმდეგობა: 20 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-4000-100

RSL-4000-100

ნაწილი საფონდო: 151

წინააღმდეგობა: 25 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-8000-100

RSL-8000-100

ნაწილი საფონდო: 109

წინააღმდეგობა: 12.5 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

NH250200R0FJ01

NH250200R0FJ01

ნაწილი საფონდო: 611

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

LPS1100H4700JB

LPS1100H4700JB

ნაწილი საფონდო: 403

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

LPS1100H1000JB

LPS1100H1000JB

ნაწილი საფონდო: 429

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,