შასის მთის წინააღმდეგობები

RSL-7500-100

RSL-7500-100

ნაწილი საფონდო: 99

წინააღმდეგობა: 13.3 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

CJT15001R0JJ

CJT15001R0JJ

ნაწილი საფონდო: 563

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT50082RJM

CJT50082RJM

ნაწილი საფონდო: 1328

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT8003R9JJ

CJT8003R9JJ

ნაწილი საფონდო: 1059

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE1500B150RJ

TE1500B150RJ

ნაწილი საფონდო: 1548

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT120012RJJ

CJT120012RJJ

ნაწილი საფონდო: 606

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE2500B820RJ

TE2500B820RJ

ნაწილი საფონდო: 830

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TE2000B82RJ

TE2000B82RJ

ნაწილი საფონდო: 1058

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT8004R7JJ

CJT8004R7JJ

ნაწილი საფონდო: 1038

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT40068RJJ

CJT40068RJJ

ნაწილი საფონდო: 1215

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT40022RJJ

CJT40022RJJ

ნაწილი საფონდო: 1247

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

RPS0500DH4700JB

RPS0500DH4700JB

ნაწილი საფონდო: 672

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

RPS0500DH1000JB

RPS0500DH1000JB

ნაწილი საფონდო: 592

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

LPS0800H10R0JB

LPS0800H10R0JB

ნაწილი საფონდო: 793

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

RER55F12R1MC02

RER55F12R1MC02

ნაწილი საფონდო: 1551

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F56R2RC02

RER55F56R2RC02

ნაწილი საფონდო: 1531

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F48R7RCSL

RER55F48R7RCSL

ნაწილი საფონდო: 1350

წინააღმდეგობა: 48.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1820RC02

RER55F1820RC02

ნაწილი საფონდო: 1538

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F6R19RCSL

RER55F6R19RCSL

ნაწილი საფონდო: 1345

წინააღმდეგობა: 6.19 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1331MC02

RER55F1331MC02

ნაწილი საფონდო: 1536

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F14R3RC02

RER55F14R3RC02

ნაწილი საფონდო: 1612

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1500RCSL

RER55F1500RCSL

ნაწილი საფონდო: 1299

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R30RC02

RER55F1R30RC02

ნაწილი საფონდო: 1541

წინააღმდეგობა: 1.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F50R0RC02

RER55F50R0RC02

ნაწილი საფონდო: 1525

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F12R7RCSL

RER55F12R7RCSL

ნაწილი საფონდო: 1308

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F5R11RCSL

RER55F5R11RCSL

ნაწილი საფონდო: 1344

წინააღმდეგობა: 5.11 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F4R02RCSL

RER55F4R02RCSL

ნაწილი საფონდო: 1368

წინააღმდეგობა: 4.02 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F47R5PCSL

RER55F47R5PCSL

ნაწილი საფონდო: 1335

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F54R9RCSL

RER55F54R9RCSL

ნაწილი საფონდო: 1323

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F19R9RC02

RER55F19R9RC02

ნაწილი საფონდო: 1554

წინააღმდეგობა: 19.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F10R7RC02

RER55F10R7RC02

ნაწილი საფონდო: 1610

წინააღმდეგობა: 10.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F10R0MC02

RER55F10R0MC02

ნაწილი საფონდო: 1591

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R21RC02

RER55F1R21RC02

ნაწილი საფონდო: 1567

წინააღმდეგობა: 1.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F36R5RC02

RER55F36R5RC02

ნაწილი საფონდო: 1617

წინააღმდეგობა: 36.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

TGHPV250RKE

TGHPV250RKE

ნაწილი საფონდო: 130

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

TAP600J500E

TAP600J500E

ნაწილი საფონდო: 503

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,