შასის მთის წინააღმდეგობები

CJT4003R9JJ

CJT4003R9JJ

ნაწილი საფონდო: 1267

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT8001K8JJ

CJT8001K8JJ

ნაწილი საფონდო: 1032

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TJT5001K5J

TJT5001K5J

ნაწილი საფონდო: 1316

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

TE2500B330RJ

TE2500B330RJ

ნაწილი საფონდო: 813

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TJT50015RJ

TJT50015RJ

ნაწილი საფონდო: 1316

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

CJT1200120RJJ

CJT1200120RJJ

ნაწილი საფონდო: 644

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE1200B680RJ

TE1200B680RJ

ნაწილი საფონდო: 1260

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT100022RJJ

CJT100022RJJ

ნაწილი საფონდო: 905

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE2500B1R0J

TE2500B1R0J

ნაწილი საფონდო: 746

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TE2500B2R2J

TE2500B2R2J

ნაწილი საფონდო: 863

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TE2000B4R7J

TE2000B4R7J

ნაწილი საფონდო: 1011

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT3001R2JJ

CJT3001R2JJ

ნაწილი საფონდო: 1415

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE2000B1K0J

TE2000B1K0J

ნაწილი საფონდო: 1027

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

RER55F12R7PC02

RER55F12R7PC02

ნაწილი საფონდო: 1527

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F8R06MC02

RER55F8R06MC02

ნაწილი საფონდო: 1531

წინააღმდეგობა: 8.06 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F3R24RCSL

RER55F3R24RCSL

ნაწილი საფონდო: 1305

წინააღმდეგობა: 3.24 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R00RCSL

RER55F1R00RCSL

ნაწილი საფონდო: 1284

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F12R1MCSL

RER55F12R1MCSL

ნაწილი საფონდო: 1284

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F9R09RCSL

RER55F9R09RCSL

ნაწილი საფონდო: 1343

წინააღმდეგობა: 9.09 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R96RC02

RER55F1R96RC02

ნაწილი საფონდო: 1565

წინააღმდეგობა: 1.96 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F37R4RC02

RER55F37R4RC02

ნაწილი საფონდო: 1551

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R27RC02

RER55F1R27RC02

ნაწილი საფონდო: 1579

წინააღმდეგობა: 1.27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F47R5RC02

RER55F47R5RC02

ნაწილი საფონდო: 1569

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F11R8PCSL

RER55F11R8PCSL

ნაწილი საფონდო: 1270

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F2870RCSL

RER55F2870RCSL

ნაწილი საფონდო: 1301

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F4750RC02

RER55F4750RC02

ნაწილი საფონდო: 1580

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F31R2RCSL

RER55F31R2RCSL

ნაწილი საფონდო: 1334

წინააღმდეგობა: 31.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F37R4RCSL

RER55F37R4RCSL

ნაწილი საფონდო: 1293

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F6040RCSL

RER55F6040RCSL

ნაწილი საფონდო: 1341

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1470RC02

RER55F1470RC02

ნაწილი საფონდო: 1538

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

PCXR50000B

PCXR50000B

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

PBX20R000A

PBX20R000A

ნაწილი საფონდო: 218

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

PCY1R0000B

PCY1R0000B

ნაწილი საფონდო: 217

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

PCXR10000J

PCXR10000J

ნაწილი საფონდო: 210

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

TAP600K40RE

TAP600K40RE

ნაწილი საფონდო: 568

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

LPS0600H1R00JB

LPS0600H1R00JB

ნაწილი საფონდო: 1112

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,