შასის მთის წინააღმდეგობები

RER55F7R50MC02

RER55F7R50MC02

ნაწილი საფონდო: 1600

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1621RCSL

RER55F1621RCSL

ნაწილი საფონდო: 1289

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R96RCSL

RER55F1R96RCSL

ნაწილი საფონდო: 1342

წინააღმდეგობა: 1.96 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F14R8RC02

RER55F14R8RC02

ნაწილი საფონდო: 1561

წინააღმდეგობა: 14.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F17R4PC02

RER55F17R4PC02

ნაწილი საფონდო: 1600

წინააღმდეგობა: 17.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F1R24RC02

RER55F1R24RC02

ნაწილი საფონდო: 1589

წინააღმდეგობა: 1.24 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F8R45RC02

RER55F8R45RC02

ნაწილი საფონდო: 1608

წინააღმდეგობა: 8.45 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F40R2RC02

RER55F40R2RC02

ნაწილი საფონდო: 1551

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F2500RCSL

RER55F2500RCSL

ნაწილი საფონდო: 1272

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F3401PC02

RER55F3401PC02

ნაწილი საფონდო: 1560

წინააღმდეგობა: 3.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F34R0RC02

RER55F34R0RC02

ნაწილი საფონდო: 1563

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

RER55F7500RCSL

RER55F7500RCSL

ნაწილი საფონდო: 1316

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

EVFT252EP100JE

EVFT252EP100JE

ნაწილი საფონდო: 1200

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 280W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP600K7K5E

TAP600K7K5E

ნაწილი საფონდო: 590

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TE2500B3R9J

TE2500B3R9J

ნაწილი საფონდო: 832

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TE1200B39RJ

TE1200B39RJ

ნაწილი საფონდო: 1319

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT800220RJJ

CJT800220RJJ

ნაწილი საფონდო: 1019

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT10006R8JJ

CJT10006R8JJ

ნაწილი საფონდო: 949

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE2500B1K0J

TE2500B1K0J

ნაწილი საფონდო: 824

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TE1200B390RJ

TE1200B390RJ

ნაწილი საფონდო: 1295

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT12008R2JJ

CJT12008R2JJ

ნაწილი საფონდო: 681

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT30047RJJ

CJT30047RJJ

ნაწილი საფონდო: 1385

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE1500B1K0J

TE1500B1K0J

ნაწილი საფონდო: 1485

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TE2000B1R5J

TE2000B1R5J

ნაწილი საფონდო: 1067

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT8003R3JJ

CJT8003R3JJ

ნაწილი საფონდო: 1058

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT30018RJJ

CJT30018RJJ

ნაწილი საფონდო: 1414

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE1500B270RJ

TE1500B270RJ

ნაწილი საფონდო: 1516

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT10001R2JJ

CJT10001R2JJ

ნაწილი საფონდო: 962

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

TE1500B56RJ

TE1500B56RJ

ნაწილი საფონდო: 1543

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

TE2500B82RJ

TE2500B82RJ

ნაწილი საფონდო: 831

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

CJT10005R6JJ

CJT10005R6JJ

ნაწილი საფონდო: 909

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

RSI-500-100

RSI-500-100

ნაწილი საფონდო: 1055

წინააღმდეგობა: 200 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

PFU1000-5RJ1

PFU1000-5RJ1

ნაწილი საფონდო: 646

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

RSI-750-100

RSI-750-100

ნაწილი საფონდო: 931

წინააღმდეგობა: 133 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

LPS0600H4R70JB

LPS0600H4R70JB

ნაწილი საფონდო: 1105

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

PCWR00500D

PCWR00500D

ნაწილი საფონდო: 158

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,