შასის მთის წინააღმდეგობები

CJT15001R2JJ

CJT15001R2JJ

ნაწილი საფონდო: 571

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT1500120RJJ

CJT1500120RJJ

ნაწილი საფონდო: 628

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR50D30MK

HVR50D30MK

ნაწილი საფონდო: 160

წინააღმდეგობა: 30 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT1500180RJJ

CJT1500180RJJ

ნაწილი საფონდო: 597

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

HVR50D82M5K

HVR50D82M5K

ნაწილი საფონდო: 212

წინააღმდეგობა: 82.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

HVR30C15MJ

HVR30C15MJ

ნაწილი საფონდო: 414

წინააღმდეგობა: 15 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

HVR30D50MK

HVR30D50MK

ნაწილი საფონდო: 332

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

CJT15003R9JJ

CJT15003R9JJ

ნაწილი საფონდო: 583

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CFH1100A220RJ

CFH1100A220RJ

ნაწილი საფონდო: 308

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

CJT150010RJJ

CJT150010RJJ

ნაწილი საფონდო: 546

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT15001R8JJ

CJT15001R8JJ

ნაწილი საფონდო: 536

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CFH1100A1R6J

CFH1100A1R6J

ნაწილი საფონდო: 321

წინააღმდეგობა: 1.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2200W, კომპოზიცია: Wirewound,

CJT150018RJJ

CJT150018RJJ

ნაწილი საფონდო: 606

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CJT15002R2JJ

CJT15002R2JJ

ნაწილი საფონდო: 602

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

CFH1100A22RJ

CFH1100A22RJ

ნაწილი საფონდო: 314

TA1K0PH1K00KE

TA1K0PH1K00KE

ნაწილი საფონდო: 435

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TA1K0PH30R0KE

TA1K0PH30R0KE

ნაწილი საფონდო: 483

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TA1K0PH5R00KE

TA1K0PH5R00KE

ნაწილი საფონდო: 450

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TA1K0PH15R0K

TA1K0PH15R0K

ნაწილი საფონდო: 467

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP800K10KE

TAP800K10KE

ნაწილი საფონდო: 517

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

SH3-250R0004DE

SH3-250R0004DE

ნაწილი საფონდო: 349

წინააღმდეგობა: 400 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Metal Clad, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 110°C,

PFE5K1R00E

PFE5K1R00E

ნაწილი საფონდო: 543

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1089W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP650J100E

TAP650J100E

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TA1K0PH15R0KE

TA1K0PH15R0KE

ნაწილი საფონდო: 454

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP600KR33E

TAP600KR33E

ნაწილი საფონდო: 445

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TA1K0PH4R00KE

TA1K0PH4R00KE

ნაწილი საფონდო: 399

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

TAP800K1K0E

TAP800K1K0E

ნაწილი საფონდო: 522

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

TAP800K680E

TAP800K680E

ნაწილი საფონდო: 483

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PFE5K1R00

PFE5K1R00

ნაწილი საფონდო: 538

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1089W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

TAP650J1R0E

TAP650J1R0E

ნაწილი საფონდო: 147

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

PSBXR2200B

PSBXR2200B

ნაწილი საფონდო: 96

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

RSL-4000-50

RSL-4000-50

ნაწილი საფონდო: 142

წინააღმდეგობა: 12.5 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-7000-100

RSL-7000-100

ნაწილი საფონდო: 137

წინააღმდეგობა: 14.3 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-9000-100

RSL-9000-100

ნაწილი საფონდო: 73

წინააღმდეგობა: 11.1 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-3000-50

RSL-3000-50

ნაწილი საფონდო: 219

წინააღმდეგობა: 16.7 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

RSL-8000-50

RSL-8000-50

ნაწილი საფონდო: 85

წინააღმდეგობა: 6.3 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,