ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

IRF7316PBF

ნაწილი საფონდო: 82106

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF9910

ნაწილი საფონდო: 2735

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, 12A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.55V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF7902PBF

ნაწილი საფონდო: 2704

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.4A, 9.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.25V @ 25µA,

სურვილისამებრ

IRFHM8363TR2PBF

ნაწილი საფონდო: 2853

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.35V @ 25µA,

სურვილისამებრ

IRF6150

ნაწილი საფონდო: 2693

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF9956

ნაწილი საფონდო: 2709

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF5851TR

ნაწილი საფონდო: 2645

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.7A, 2.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.25V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF7325TR

ნაწილი საფონდო: 2643

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4920DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 3373

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

სურვილისამებრ

SI7530DP-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2779

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, 3.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4226DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2790

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI5903DC-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2802

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

სურვილისამებრ

SI5509DC-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2824

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.1A, 4.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4908DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2849

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI6973DQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2819

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

სურვილისამებრ

SI4972DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2770

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.8A, 7.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI6967DQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2883

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

სურვილისამებრ

SIA921EDJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 107104

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SIB911DK-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2759

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4340CDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2692

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14.1A, 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI6966EDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 3300

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

სურვილისამებრ

SI4563DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2834

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

STS7C4F30L

ნაწილი საფონდო: 2694

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTJD4001NT1

ნაწილი საფონდო: 2735

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 250mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 100µA,

სურვილისამებრ

FDS6993

ნაწილი საფონდო: 2762

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, 6.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTJD4105CT4G

ნაწილი საფონდო: 2731

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, 8V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTJD2152PT1G

ნაწილი საფონდო: 2674

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 775mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTMFD4C86NT3G

ნაწილი საფონდო: 29372

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11.3A, 18.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTJD4158CT2G

ნაწილი საფონდო: 2806

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 250mA, 880mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 100µA,

სურვილისამებრ

NTHD4401PT3

ნაწილი საფონდო: 2756

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ