ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 11A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.35V @ 25µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 15nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1165pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 2.7W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerVDFN |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |