ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

FDS6912

ნაწილი საფონდო: 99723

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDM2509NZ

ნაწილი საფონდო: 2731

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTUD3127CT5G

ნაწილი საფონდო: 2739

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160mA, 140mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDY2001PZ

ნაწილი საფონდო: 2782

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTJD4401NT2G

ნაწილი საფონდო: 2745

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 630mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDC6000NZ

ნაწილი საფონდო: 2733

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTLJD4150PTBG

ნაწილი საფონდო: 2781

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDG6322C_D87Z

ნაწილი საფონდო: 2704

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 220mA, 410mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTL4502NT1

ნაწილი საფონდო: 2702

FET ტიპი: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

ECH8601M-C-TL-H

ნაწილი საფონდო: 2940

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 2.5V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V,

სურვილისამებრ

NTJD4152PT1

ნაწილი საფონდო: 2693

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 880mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NDS9936

ნაწილი საფონდო: 2706

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

EFC6601R-A-TR

ნაწილი საფონდო: 185411

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

სურვილისამებრ

NDS9959

ნაწილი საფონდო: 2628

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF7325

ნაწილი საფონდო: 2634

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF7379PBF

ნაწილი საფონდო: 2664

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF7754

ნაწილი საფონდო: 2962

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF8513PBF

ნაწილი საფონდო: 2834

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, 11A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.35V @ 25µA,

სურვილისამებრ

IRF7338TRPBF

ნაწილი საფონდო: 2782

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.3A, 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF7750TR

ნაწილი საფონდო: 2689

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF8313PBF

ნაწილი საფონდო: 2835

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.35V @ 25µA,

სურვილისამებრ

IRF7379QTRPBF

ნაწილი საფონდო: 2818

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IRF7101PBF

ნაწილი საფონდო: 2712

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4906DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2837

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI7842DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2811

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI7218DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 99158

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 24A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SMMA511DJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2895

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI6924AEDQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2794

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 28V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4952DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 3339

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI3850ADV-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2805

FET ტიპი: N and P-Channel, Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.4A, 960mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4388DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2702

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.7A, 11.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI6983DQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2899

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 400µA,

სურვილისამებრ