ტრანზისტორები - JFET

MMBF4393LT1G

ნაწილი საფონდო: 192269

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

PN4092_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3371

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

J112RL1

ნაწილი საფონდო: 3450

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

J174_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3371

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 10nA,

MMBF5462

ნაწილი საფონდო: 130781

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.8V @ 1µA,

PN4391_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3487

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1nA,

EC3A04B-3-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3434

FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 10mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 180mV @ 1µA,

PF5102

ნაწილი საფონდო: 128618

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 700mV @ 1nA,

SMMBFJ175LT1G

ნაწილი საფონდო: 109822

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

TIS75_J35Z

ნაწილი საფონდო: 3466

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 4nA,

PN4392_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3431

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

TF202THC-L5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3450

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 1µA,

J106

ნაწილი საფონდო: 85192

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1µA,

TF202THC-3-TL-HX

ნაწილი საფონდო: 3407

J111RLRAG

ნაწილი საფონდო: 3387

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

PF5103

ნაწილი საფონდო: 3363

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.2V @ 1nA,

MCH3914-8-TL-H

ნაწილი საფონდო: 186655

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 50mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 10µA,

MMBFU310LT1

ნაწილი საფონდო: 3484

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2.5V @ 1nA,

MMBFJ177

ნაწილი საფონდო: 174507

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF5460

ნაწილი საფონდო: 135969

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 750mV @ 1µA,

TIS75

ნაწილი საფონდო: 3355

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 4nA,

MX2N4856

ნაწილი საფონდო: 3463

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 0.5nA,

JANTX2N4857

ნაწილი საფონდო: 3433

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 500pA,

JANTX2N4859

ნაწილი საფონდო: 4492

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 500pA,

MX2N4856UB

ნაწილი საფონდო: 3467

MX2N4857

ნაწილი საფონდო: 3479

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 500pA,

PMBFJ109,215

ნაწილი საფონდო: 111148

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 1µA,

J110,126

ნაწილი საფონდო: 3445

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1µA,

PMBFJ113,215

ნაწილი საფონდო: 3422

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

PMBFJ174,215

ნაწილი საფონდო: 3362

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 10nA,

PN4393 TRA

ნაწილი საფონდო: 119489

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

CMPF4392 TR

ნაწილი საფონდო: 156260

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

U430

ნაწილი საფონდო: 3454

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1nA,

SST4119-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 3472

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

SST204-E3

ნაწილი საფონდო: 3473

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

SST5462-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 3451

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.8V @ 1µA,