ტრანზისტორები - JFET

J176-D74Z

ნაწილი საფონდო: 13203

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 10nA,

J176_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3352

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 10nA,

TF256TH-4-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3468

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

J111RL1G

ნაწილი საფონდო: 3416

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

P1087_J18Z

ნაწილი საფონდო: 3448

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 1µA,

FJN598JATA

ნაწილი საფონდო: 3490

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

J202

ნაწილი საფონდო: 3418

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

J201_D74Z

ნაწილი საფონდო: 3407

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

MMBFJ175LT1G

ნაწილი საფონდო: 135212

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBFJ175LT1

ნაწილი საფონდო: 3381

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBF4117

ნაწილი საფონდო: 122052

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1nA,

SMMBF4391LT1G

ნაწილი საფონდო: 3375

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 10nA,

TF252TH-5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3414

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

MMBF5484LT1

ნაწილი საფონდო: 3379

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

FJZ594JCTF

ნაწილი საფონდო: 3391

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

PN4303_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3418

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 1nA,

MMBFJ270

ნაწილი საფონდო: 114705

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

KSK30RBU

ნაწილი საფონდო: 3409

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

MMBF4091

ნაწილი საფონდო: 111162

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 1nA,

MPF4392

ნაწილი საფონდო: 3400

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

J113_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3355

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1µA,

TF262TH-5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3528

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 1µA,

J202_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3486

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

CPH3910-TL-E

ნაწილი საფონდო: 143306

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 50mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.8V @ 100µA,

FJX597JCTF

ნაწილი საფონდო: 3407

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

TIS74

ნაწილი საფონდო: 3394

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 4nA,

J111-D26Z

ნაწილი საფონდო: 13212

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

J109_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3377

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

P108718

ნაწილი საფონდო: 3505

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 1µA,

MV2N4391UB

ნაწილი საფონდო: 3478

MV2N4859

ნაწილი საფონდო: 3465

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 500pA,

PMBFJ310,215

ნაწილი საფონდო: 3357

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1µA,

PMBFJ620,115

ნაწილი საფონდო: 3371

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1µA,

J112,126

ნაწილი საფონდო: 3333

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

CMPF5485 TR

ნაწილი საფონდო: 165110

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 30mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

CMPF4391 TR

ნაწილი საფონდო: 152395

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1nA,