FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,
FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,
FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.8V @ 1µA,
FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 9mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,
FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,
FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 8V @ 10µA,
FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,
FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 750mV @ 1µA,
FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 750mV @ 1µA,
FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,
FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,
FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 10nA,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 30mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 10µA,
FET ტიპი: P-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 20mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 10µA,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 20mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 10µA,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 2mA,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.3V @ 1µA,
FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.4µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 10mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3.5V @ 1µA,
FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 20mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 10µA,
