ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS) | 20V |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | - |
მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 300µA @ 10V |
მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს | - |
ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id | 8V @ 10µA |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 32pF @ 10V |
წინააღმდეგობა - RDS (ჩართული) | - |
სიმძლავრე - მაქს | 350mW |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
პაკეტი / კორპუსი | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-92-3 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |