დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

BYG24G-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 160213

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

ნაწილი საფონდო: 141773

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 131968

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 182415

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 178714

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 104636

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 136458

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 128490

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 129800

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 120649

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 155324

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 188118

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 135545

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 137182

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 196477

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 116559

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 167113

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 151425

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 167334

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 177836

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

ნაწილი საფონდო: 116100

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 126510

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 113240

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 197556

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 112695

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 164441

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 174425

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 199071

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 120482

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 162395

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 109092

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 111717

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 162156

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 131985

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 142403

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 178334

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი