Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
BYG23M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 194309

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 192644

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
BYG21M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 125355

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
BYG10KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 131683

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG10DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 113290

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG22AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 185055

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
BYG10Y-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 180703

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG21K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 162491

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
BYG24JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 132072

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
BYG21MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 136967

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
BYG20J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 178639

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYG24D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 156019

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 190141

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYG22BHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 171388

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
BYG22DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 102534

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
BYG22B-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 173966

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
BYG20GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 115903

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 182526

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 172130

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG24JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 108801

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
BYG20D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 111269

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYG21MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 118403

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
BYG22A-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 119326

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
BYG10D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 190073

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG10D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 103238

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG10K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 180365

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG21M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 170299

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 116233

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
BYG10MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 112902

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 132466

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
BYG24G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 181386

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 194033

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYG24JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 123257

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
BYG22A-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 130377

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
BYG24G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 175101

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი
BYG22BHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 102483

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი