დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

BYM12-300HE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 273

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

ნაწილი საფონდო: 146674

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

ნაწილი საფონდო: 150291

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

ნაწილი საფონდო: 108452

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 250mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

ნაწილი საფონდო: 154468

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

ნაწილი საფონდო: 158822

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

ნაწილი საფონდო: 159155

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

ნაწილი საფონდო: 197051

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

ნაწილი საფონდო: 122405

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

ნაწილი საფონდო: 119842

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

ნაწილი საფონდო: 148532

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 125V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 30mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

ნაწილი საფონდო: 128512

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

ნაწილი საფონდო: 196580

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

ნაწილი საფონდო: 102104

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

ნაწილი საფონდო: 107935

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

ნაწილი საფონდო: 101978

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

ნაწილი საფონდო: 109507

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

ნაწილი საფონდო: 182695

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

ნაწილი საფონდო: 142042

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

ნაწილი საფონდო: 194217

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

ნაწილი საფონდო: 116168

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

ნაწილი საფონდო: 118002

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

ნაწილი საფონდო: 110674

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

ნაწილი საფონდო: 116604

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

ნაწილი საფონდო: 189935

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

ნაწილი საფონდო: 111895

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

ნაწილი საფონდო: 123251

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 370mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

ნაწილი საფონდო: 184839

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 175613

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 130523

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 112559

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

ნაწილი საფონდო: 191280

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

ნაწილი საფონდო: 131337

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

ნაწილი საფონდო: 166092

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 116282

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 173970

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი