Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

ნაწილი საფონდო: 122912

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 800mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 400mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 400ns,

სასურველი
BYV27-050-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

ნაწილი საფონდო: 170832

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 55V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.07V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
BYT51D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

ნაწილი საფონდო: 169988

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

ნაწილი საფონდო: 158535

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 350mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.6V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 5µs,

სასურველი
BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

ნაწილი საფონდო: 133807

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
BYV37-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

ნაწილი საფონდო: 166239

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
BYT53A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

ნაწილი საფონდო: 162849

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

ნაწილი საფონდო: 154344

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 100ns,

სასურველი
BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

ნაწილი საფონდო: 127685

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

ნაწილი საფონდო: 178566

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT52A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

ნაწილი საფონდო: 107418

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
BYT51B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

ნაწილი საფონდო: 155091

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT53F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

ნაწილი საფონდო: 140893

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYT51J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

ნაწილი საფონდო: 113210

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT54K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

ნაწილი საფონდო: 120137

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 100ns,

სასურველი
BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

ნაწილი საფონდო: 176417

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT53B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

ნაწილი საფონდო: 161256

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

ნაწილი საფონდო: 147051

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT53C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

ნაწილი საფონდო: 127986

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYT52M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

ნაწილი საფონდო: 178212

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
BYT54D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

ნაწილი საფონდო: 142835

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 100ns,

სასურველი
BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

ნაწილი საფონდო: 156566

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
BYT53B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

ნაწილი საფონდო: 198030

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.9A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BY527TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

ნაწილი საფონდო: 197736

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 10A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BY458TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

ნაწილი საფონდო: 132572

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

ნაწილი საფონდო: 198779

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
BYW35-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

ნაწილი საფონდო: 168310

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

ნაწილი საფონდო: 129025

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT51A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

ნაწილი საფონდო: 197129

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT51M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

ნაწილი საფონდო: 143955

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BY527TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

ნაწილი საფონდო: 135313

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 10A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYT51G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

ნაწილი საფონდო: 191378

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

ნაწილი საფონდო: 199601

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

ნაწილი საფონდო: 116196

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4µs,

სასურველი
BYM12-300-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

ნაწილი საფონდო: 143123

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
BYM12-400HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 205

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი