Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
VS-40CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045SPBF

ნაწილი საფონდო: 28808

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKC91/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC91/04A

ნაწილი საფონდო: 3602

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKJ56/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ56/12A

ნაწილი საფონდო: 3643

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKC236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC236/04

ნაწილი საფონდო: 3629

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 230A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UFB200FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

UFB200FA20

ნაწილი საფონდო: 3648

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CTQ060-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ060-1PBF

ნაწილი საფონდო: 36871

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA75MC40C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA75MC40C

ნაწილი საფონდო: 3677

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBR20100CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR20100CTPBF

ნაწილი საფონდო: 3754

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-111CNQ045ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111CNQ045ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 10244

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 110A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKC196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC196/12

ნაწილი საფონდო: 3606

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 195A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKD71/10P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD71/10P

ნაწილი საფონდო: 4390

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-60CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CTQ045PBF

ნაწილი საფონდო: 15155

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBR2535CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2535CTPBF

ნაწილი საფონდო: 75132

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-40L15CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L15CWPBF

ნაწილი საფონდო: 30088

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 410mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBR40L15CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR40L15CWPBF

ნაწილი საფონდო: 41968

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 420mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045SPBF

ნაწილი საფონდო: 36645

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKD166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD166/08

ნაწილი საფონდო: 3563

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 165A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURB2020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB2020CTTRR

ნაწილი საფონდო: 3713

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURD620CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURD620CTTRL

ნაწილი საფონდო: 3736

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKJ91/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ91/16A

ნაწილი საფონდო: 3649

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CTQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100PBF

ნაწილი საფონდო: 35744

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 860mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-80CNQ040ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CNQ040ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 11625

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3045CT-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR3045CT-1

ნაწილი საფონდო: 3604

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2080CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2080CTTRR

ნაწილი საფონდო: 3660

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-10CWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CWH02FN-M3

ნაწილი საფონდო: 76279

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VF40100C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-E3/45

ნაწილი საფონდო: 3843

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKJ56/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ56/16A

ნაწილი საფონდო: 3630

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA30TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA30TA60CS

ნაწილი საფონდო: 3580

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA120EA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA120EA60

ნაწილი საფონდო: 3639

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRB2545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTPBF

ნაწილი საფონდო: 41239

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKDL450-25S20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKDL450-25S20

ნაწილი საფონდო: 3634

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 460A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 1800A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2545CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CT

ნაწილი საფონდო: 3684

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-15CTQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035PBF

ნაწილი საფონდო: 69780

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-48CTQ060-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-48CTQ060-1PBF

ნაწილი საფონდო: 30341

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA75MB40C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA75MB40C

ნაწილი საფონდო: 3671

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKD320-16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-16

ნაწილი საფონდო: 3594

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 320A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი