Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
HFA140MD60C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA140MD60C

ნაწილი საფონდო: 3602

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 99A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-81CNQ035APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81CNQ035APBF

ნაწილი საფონდო: 10895

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MURB2020CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB2020CT-1PBF

ნაწილი საფონდო: 92562

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBR4045CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR4045CT-1PBF

ნაწილი საფონდო: 74947

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-20CTQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150PBF

ნაწილი საფონდო: 43351

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKD250-16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD250-16

ნაწილი საფონდო: 3664

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-15CTQ035SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035SPBF

ნაწილი საფონდო: 61366

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-16CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ060PBF

ნაწილი საფონდო: 64912

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H150CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 55312

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MUR1020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MUR1020CTPBF

ნაწილი საფონდო: 94694

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRD660CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRD660CTTRR

ნაწილი საფონდო: 3734

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR4045CT-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR4045CT-1

ნაწილი საფონდო: 3667

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKJ91/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ91/06A

ნაწილი საფონდო: 3583

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB20100CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20100CTTRR

ნაწილი საფონდო: 3675

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKJ320-04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKJ320-04

ნაწილი საფონდო: 3655

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 320A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKC71/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC71/10A

ნაწილი საფონდო: 3564

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2080CT-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2080CT-1

ნაწილი საფონდო: 3630

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBRB2080CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTPBF

ნაწილი საფონდო: 27867

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-30CPQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ080PBF

ნაწილი საფონდო: 17785

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 860mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VTS40100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

VTS40100CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 4424

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MBR2545CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2545CT-1PBF

ნაწილი საფონდო: 76037

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKC320-04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKC320-04

ნაწილი საფონდო: 3600

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 320A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKC56/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC56/14A

ნაწილი საფონდო: 3572

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKD56/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD56/12A

ნაწილი საფონდო: 3647

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V40100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100P-E3/45

ნაწილი საფონდო: 3777

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-85CNQ015ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85CNQ015ASMPBF

ნაწილი საფონდო: 11782

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 360mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRD660CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRD660CTTRL

ნაწილი საფონდო: 4437

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB4045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB4045CTTRR

ნაწილი საფონდო: 3616

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IRKD91/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD91/16A

ნაწილი საფონდო: 3600

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-STPS40L45CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS40L45CWPBF

ნაწილი საფონდო: 26030

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB2045CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CT

ნაწილი საფონდო: 3618

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VSKDL450-20S20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKDL450-20S20

ნაწილი საფონდო: 3556

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 460A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 1800A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-MURB1620CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CT-1PBF

ნაწილი საფონდო: 96114

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-88CNQ060ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-88CNQ060ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 11148

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HFA08TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA08TA60CS

ნაწილი საფონდო: 3599

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR1535CT-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1535CT-1

ნაწილი საფონდო: 3720

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი